| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-35页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族铜铟硫半导体纳米晶的概述 | 第12-20页 |
| 1.2.1 半导体纳米晶的合成理论基础 | 第13-16页 |
| 1.2.2 半导体纳米晶的合成方法及光电性质 | 第16-20页 |
| 1.2.3 半导体纳米晶的激子能量结构 | 第20页 |
| 1.3 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族铜铟硫半导体纳米晶异质结构特性 | 第20-23页 |
| 1.3.1 半导体纳米晶异质结材料 | 第20-23页 |
| 1.4 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族铜铟硫半导体纳米晶中载流子的传输 | 第23-26页 |
| 1.4.1 载流子的漂移、扩散及复合 | 第23-24页 |
| 1.4.2 测量载流子迁移率的方法 | 第24-26页 |
| 1.5 本文设计思想 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-35页 |
| 第2章 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族铜铟硫半导体纳米晶的合成及测量技术介绍 | 第35-53页 |
| 2.1 半导体量子点CuInS_2纳米晶的合成 | 第35页 |
| 2.2 半导体量子点CuInS_2/ZnS纳米晶核壳结构的合成 | 第35-36页 |
| 2.2.1 原料 | 第36页 |
| 2.2.2 仪器 | 第36页 |
| 2.3 半导体CuInS_2纳米晶棒状结构的合成 | 第36-37页 |
| 2.3.1 原料 | 第37页 |
| 2.3.2 仪器 | 第37页 |
| 2.4 半导体Cu_2S-In_2S_3纳米晶异质结构的合成 | 第37-39页 |
| 2.4.1 原料 | 第38页 |
| 2.4.2 仪器 | 第38-39页 |
| 2.5 材料的表征 | 第39-44页 |
| 2.5.1 吸收光谱 | 第39-40页 |
| 2.5.2 光致发光光谱 | 第40页 |
| 2.5.3 XRD | 第40-41页 |
| 2.5.4 透射电子显微镜 | 第41-42页 |
| 2.5.5 时间分辨荧光技术及荧光寿命测量 | 第42-44页 |
| 2.6 CELIV技术原理 | 第44-51页 |
| 2.6.1 I-CELIV技术原理 | 第44-48页 |
| 2.6.2 优化改进I-CELIV技术原理 | 第48-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第3章 利用I-CELIV技术研究半导体量子点CuInS_2/ZnS纳米晶核壳结构薄膜中载流子迁移率的传输过程 | 第53-67页 |
| 3.1 引言 | 第53页 |
| 3.2 半导体量子点CuInS_2/ZnS纳米晶核壳结构基本表征 | 第53-56页 |
| 3.3 器件的制备 | 第56-58页 |
| 3.4 ZnS壳层对半导体量子点CuInS_2纳米晶薄膜中载流子迁移率的影响 | 第58-63页 |
| 3.4.1 正向电压U_(max)对薄膜中载流子迁移率的影响 | 第58-62页 |
| 3.4.2 补偿反向电压U_(offset)对薄膜载流子迁移率的影响 | 第62-63页 |
| 3.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 第4章 利用I-CELIV技术研究温度依赖下半导体Cu_2S-In_2S_3纳米晶异质结薄膜中载流子迁移率的传输过程 | 第67-85页 |
| 4.1 引言 | 第67-68页 |
| 4.2 半导体CuInS_2纳米晶棒状结构、Cu_2S-In_2S_3纳米晶异质结构基本表征 | 第68-70页 |
| 4.3 器件的制备 | 第70-71页 |
| 4.4 异质结构对半导体CuInS_2纳米晶棒状结构薄膜中载流子迁移率的影响.. | 第71-78页 |
| 4.4.1 温度依赖下正向电压U_(max)对CuInS_2棒状结构薄膜中载流子迁移率的影响 | 第72-75页 |
| 4.4.2 温度依赖下正向电压U_(max)对Cu_2S-In_2S_3异质结构薄膜中载流子迁移率的影响 | 第75-77页 |
| 4.4.3 温度依赖下补偿反向电压U_(offset)对Cu_2S-In_2S_3异质结构薄膜中载流子迁移率的影响 | 第77-78页 |
| 4.5 本章小结 | 第78-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 结论 | 第85-87页 |
| 作者简介及科研成果 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89页 |
