| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 MOSFET和TFT工作原理 | 第13-17页 |
| 1.2.1 MOSFET的工作原理介绍 | 第13-15页 |
| 1.2.2 TFT的工作原理介绍 | 第15-17页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 薄膜的制备和表征方法 | 第19-30页 |
| 2.1 衬底清洗仪器 | 第19-20页 |
| 2.1.1 超声波清洗机 | 第19-20页 |
| 2.1.2 等离子体清洗机 | 第20页 |
| 2.2 薄膜制备仪器 | 第20-23页 |
| 2.2.1 射频磁控溅射和热蒸发系统 | 第20-21页 |
| 2.2.2 溶胶凝胶法制备薄膜的仪器 | 第21-22页 |
| 2.2.3 退火处理仪器 | 第22-23页 |
| 2.3 薄膜表征仪器 | 第23-30页 |
| 2.3.1 紫外-可见光分光光度计 | 第23页 |
| 2.3.2 椭圆偏振光谱仪 | 第23-24页 |
| 2.3.3 X射线衍射仪 | 第24-25页 |
| 2.3.4 原子力显微镜 | 第25-26页 |
| 2.3.5 热重分析 | 第26-27页 |
| 2.3.6 X射线光电子能谱仪 | 第27-28页 |
| 2.3.7 电学测试仪器 | 第28-30页 |
| 第三章 钆掺杂对MoS_2/HfO_2异质结能带排列的调制 | 第30-40页 |
| 3.1 实验内容 | 第31页 |
| 3.1.1 衬底的清洗 | 第31页 |
| 3.1.2 薄膜的制备和表征 | 第31页 |
| 3.2 测试结果和分析 | 第31-39页 |
| 3.2.1 HfO_2和HfGdO薄膜的光学透过率 | 第31-32页 |
| 3.2.2 块材样品的价带谱分析 | 第32-33页 |
| 3.2.3 价带偏移的计算 | 第33-37页 |
| 3.2.4 导带偏移的计算 | 第37-38页 |
| 3.2.5 异质结界面处的能带排列 | 第38-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 退火温度对溶液法制备HfGdO栅介质薄膜的微结构、界面及电学性能的调控 | 第40-53页 |
| 4.1 实验内容 | 第40-41页 |
| 4.1.1 前驱体溶液的制备 | 第40页 |
| 4.1.2 HfGdO薄膜的制备和表征 | 第40-41页 |
| 4.1.3 器件的制备和表征 | 第41页 |
| 4.2 测试结果和分析 | 第41-52页 |
| 4.2.1 HfGdO栅介质薄膜的XRD分析 | 第41-42页 |
| 4.2.2 HfGdO堆栈的XPS数据分析 | 第42-49页 |
| 4.2.3 MOS电容器的电学表征 | 第49-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 全溶液法制备低压InZnO/HfAlO薄膜晶体管 | 第53-65页 |
| 5.1 实验内容 | 第53-54页 |
| 5.1.1 前驱体溶液的制备及表征 | 第53页 |
| 5.1.2 HfAlO薄膜的制备和表征 | 第53-54页 |
| 5.1.3 TFT器件的制备和表征 | 第54页 |
| 5.2 测试结果和分析 | 第54-63页 |
| 5.2.1 HfAlO薄膜的透射率和带隙 | 第54-55页 |
| 5.2.2 前驱体溶液的TGA测试 | 第55-56页 |
| 5.2.3 HfAlO薄膜的XRD分析 | 第56-57页 |
| 5.2.4 HfAlO薄膜的XPS分析 | 第57-58页 |
| 5.2.5 HfAlO薄膜的电学特性 | 第58页 |
| 5.2.6 HfAlO的表面形貌分析 | 第58-59页 |
| 5.2.7 TFT器件的电学表征 | 第59-62页 |
| 5.2.8 反相器的构筑与表征 | 第62-63页 |
| 5.3 本章小结 | 第63-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 6.1 总结 | 第65-66页 |
| 6.2 展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第82-83页 |
