| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-30页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 光电探测器 | 第11-17页 |
| 1.2.1 光电探测器的类别与一般原理 | 第11-14页 |
| 1.2.2 光电探测器的应用 | 第14-15页 |
| 1.2.3 光电探测器的性能指标 | 第15-17页 |
| 1.3 典型的碳材料光电探测器 | 第17-23页 |
| 1.3.1 石墨烯光电探测器 | 第18-20页 |
| 1.3.2 石墨烯量子点光电探测器 | 第20-22页 |
| 1.3.3 碳纳米管光电探测器 | 第22-23页 |
| 1.4 石墨烯墙薄膜的性质及其应用 | 第23-28页 |
| 1.4.1 石墨烯墙的结构与生长机理 | 第24-25页 |
| 1.4.2 石墨烯墙的主要性能 | 第25-27页 |
| 1.4.3 石墨烯墙的应用现状 | 第27-28页 |
| 1.5 本论文的主要工作内容与目的 | 第28-30页 |
| 1.5.1 基于石墨烯墙的柔性红外探测器 | 第28页 |
| 1.5.2 与硅工艺兼容的高响应宽波段石墨烯墙光电探测器 | 第28-30页 |
| 第二章 石墨烯墙的制备与表征 | 第30-40页 |
| 2.1 石墨烯墙的制备 | 第31-33页 |
| 2.2 石墨烯墙的表征 | 第33-39页 |
| 2.2.1 表征仪器简介 | 第33-34页 |
| 2.2.2 石墨烯墙的SEM形貌 | 第34-37页 |
| 2.2.3 石墨烯墙的红外吸收率 | 第37-38页 |
| 2.2.4 石墨烯墙拉曼特征峰 | 第38页 |
| 2.2.5 石墨烯墙的三维结构 | 第38-39页 |
| 2.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 石墨烯墙与高分子复合的柔性红外探测器 | 第40-59页 |
| 3.1 高分子材料PDMS和PET简介 | 第40-41页 |
| 3.1.1 PDMS简介 | 第40-41页 |
| 3.1.2 PET简介 | 第41页 |
| 3.2 器件的制备 | 第41-45页 |
| 3.3 不同基底对器件TCR的影响 | 第45-48页 |
| 3.4 红外辐射响应理论 | 第48-50页 |
| 3.4.1 红外热探测原理示意图 | 第48-49页 |
| 3.4.2 红外热探测器性能的理论 | 第49-50页 |
| 3.5 PDMS与GNWSs复合器件的热响应 | 第50-51页 |
| 3.6 红外响应与柔性性能 | 第51-57页 |
| 3.6.1 PDMS与石墨烯墙复合器件的红外响应和柔性性能 | 第51-54页 |
| 3.6.2 PET与石墨烯墙复合器件的红外与柔性响应性能 | 第54-57页 |
| 3.7 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 硅/石墨烯墙宽波段高响应光电导探测器的设计与实现 | 第59-88页 |
| 4.1 器件结构与理论 | 第59-61页 |
| 4.2 硅/石墨烯墙复合器件光电响应 | 第61-71页 |
| 4.2.1 本征硅/石墨烯墙光电响应 | 第61-65页 |
| 4.2.2 P硅/石墨烯墙的光电响应 | 第65-67页 |
| 4.2.3 N硅/石墨烯墙的光电响应 | 第67-71页 |
| 4.3 石墨烯墙图形化工艺 | 第71-85页 |
| 4.3.1 AZ3100作为掩蔽层刻蚀石墨烯墙 | 第71-79页 |
| 4.3.2 AZ1500取代AZ3100掩蔽层 | 第79-81页 |
| 4.3.3 金属Ni作为石墨烯墙刻蚀的掩蔽层 | 第81-84页 |
| 4.3.4 LOR二次胶工艺 | 第84-85页 |
| 4.4 窄沟道器件的制备与测试 | 第85-87页 |
| 4.4.1 工艺流程 | 第85-86页 |
| 4.4.2 器件响应测试 | 第86-87页 |
| 4.5 本章小结 | 第87-88页 |
| 第五章 结论与展望 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-97页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第97页 |
