基于Al2O3栅介质的ZnO TFT制备与性能研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-12页 |
| 1.2 TFT基本原理 | 第12-18页 |
| 1.2.1 器件结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2 工作原理 | 第14-15页 |
| 1.2.3 主要性能参数 | 第15-18页 |
| 1.3 高K介质的意义 | 第18-19页 |
| 1.4 本文研究思路 | 第19-20页 |
| 第二章 TFT性能理论仿真研究 | 第20-28页 |
| 2.1 Sentaurus TCAD软件介绍 | 第20-24页 |
| 2.2 仿真参数设置 | 第24-26页 |
| 2.2.1 器件结构定义 | 第24页 |
| 2.2.2 电极接触定义 | 第24-25页 |
| 2.2.3 网格划分 | 第25页 |
| 2.2.4 器件测试 | 第25-26页 |
| 2.3 仿真器件电势分布 | 第26页 |
| 2.4 仿真器件特性 | 第26-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 沉积条件对ZnO有源层性能影响 | 第28-40页 |
| 3.1 ZnO材料 | 第28页 |
| 3.2 器件制备 | 第28-33页 |
| 3.2.1 基片预处理 | 第29-30页 |
| 3.2.2 磁控溅射ZnO有源层 | 第30-32页 |
| 3.2.3 热蒸发蒸镀Ag源漏电极 | 第32-33页 |
| 3.3 性能测试 | 第33-34页 |
| 3.4 不同溅射条件对器件性能的影响 | 第34-39页 |
| 3.4.1 溅射温度 | 第35-36页 |
| 3.4.2 溅射压强 | 第36-38页 |
| 3.4.3 溅射时间 | 第38-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 绝缘介质层对ZnO TFT性能影响 | 第40-45页 |
| 4.1 Al_2O_3和SiO_2绝缘层 | 第40-41页 |
| 4.2 ALD沉积Al_2O_3绝缘层 | 第41-42页 |
| 4.3 TFT的性能对比 | 第42-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 ZnO TFT的有源层与结构研究 | 第45-52页 |
| 5.1 常用优化方法 | 第45页 |
| 5.2 ZnO-Gd掺杂 | 第45-46页 |
| 5.3 MgZnO/ZnO二维电子气模型 | 第46-49页 |
| 5.4 不同长宽比器件 | 第49-51页 |
| 5.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第六章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 6.1 全文总结 | 第52页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-62页 |
| 附录 | 第62-64页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第64页 |
