| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-43页 |
| 1.1 存储器的分类 | 第12-13页 |
| 1.2 非易失性存储器概述 | 第13-23页 |
| 1.2.1 传统的非易失性存储器 | 第13-15页 |
| 1.2.2 新型的非易失性存储器 | 第15-23页 |
| 1.3 电荷俘获存储器的发展概述 | 第23-30页 |
| 1.3.1 浮栅型存储器 | 第23-25页 |
| 1.3.2 SONOS型存储器 | 第25-28页 |
| 1.3.3 纳米晶存储器 | 第28-30页 |
| 1.4 电荷俘获存储器的工作原理和性能指标 | 第30-34页 |
| 1.4.1 电荷俘获存储器的写入和擦除机制 | 第30-31页 |
| 1.4.2 电荷俘获存储器的存储能力 | 第31-32页 |
| 1.4.3 电荷俘获存储器的开关特性 | 第32页 |
| 1.4.4 电荷俘获存储器的疲劳和保持特性 | 第32-34页 |
| 1.5 本论文的工作意义、目的和内容 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-43页 |
| 第二章 电荷俘获存储器的制备工艺和表征手段 | 第43-56页 |
| 2.1 器件的制备工艺 | 第43-49页 |
| 2.1.1 原子层沉积技术 | 第43-46页 |
| 2.1.2 磁控溅射系统 | 第46-48页 |
| 2.1.3 快速热退火系统 | 第48-49页 |
| 2.2 器件的物性表征手段 | 第49-50页 |
| 2.2.1 透射电子显微镜 | 第49页 |
| 2.2.2 X射线光电子能谱 | 第49-50页 |
| 2.2.3 原子力显微镜 | 第50页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜 | 第50页 |
| 2.3 存储器件的制备和电学性能测试 | 第50-53页 |
| 2.3.1 存储器件的制备 | 第50-51页 |
| 2.3.2 Keithley 4200半导体特性分析系统 | 第51-52页 |
| 2.3.3 CasCade集成电路测试平台 | 第52-53页 |
| 2.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第三章 金纳米晶的尺寸效应及电荷流失机制研究 | 第56-72页 |
| 3.1 研究背景 | 第56页 |
| 3.2 金纳米晶的制备及物性表征 | 第56-58页 |
| 3.3 Al_2O_3薄膜的制备及生长条件优化 | 第58-61页 |
| 3.4 金纳米晶存储器的制备、表征及电学性能测试 | 第61-67页 |
| 3.5 本章小结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 第四章 HfO_2/Al_2O_3纳米叠层结构器件的电荷存储特性研究 | 第72-94页 |
| 4.1 研究背景 | 第72-73页 |
| 4.2 HfO_2/Al_2O_3纳米叠层结构器件的制备和电学性能测试 | 第73-76页 |
| 4.3 HfO_2/Al_2O_3纳米叠层结构器件在不同栅压下的能带结构 | 第76-81页 |
| 4.4 HfO_2/Al_2O_3纳米叠层结构器件的微观结构及电荷存储密度计算 | 第81-86页 |
| 4.5 HfO_2体缺陷的第一性原理计算 | 第86-90页 |
| 4.6 本章小结 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-94页 |
| 第五章 HfAlO复合氧化物薄膜存储器的电荷存储特性研究 | 第94-105页 |
| 5.1 研究背景 | 第94页 |
| 5.2 HfAlO复合氧化物薄膜的制备方法 | 第94-95页 |
| 5.3 HfAlO复合氧化物薄膜存储器(ALD生长)的存储特性研究 | 第95-100页 |
| 5.4 HfAlO复合氧化物薄膜存储器(磁控溅射生长)的存储特性研究 | 第100-102页 |
| 5.5 本章小结 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-105页 |
| 第六章 结论与展望 | 第105-108页 |
| 6.1 结论 | 第105-107页 |
| 6.2 展望 | 第107-108页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第108-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
