| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-27页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 LED 照明技术与黄光 | 第11-15页 |
| 1.2.1 LED 照明的优点 | 第11-12页 |
| 1.2.2 LED 照明技术的现状与趋势 | 第12-15页 |
| 1.3 半导体发光材料与绿光鸿沟 | 第15-17页 |
| 1.3.1 半导体发光材料 | 第15-16页 |
| 1.3.2 绿光鸿沟 | 第16-17页 |
| 1.4 LED 的效率 droop | 第17-20页 |
| 1.5 GaN 基黄光 LED 研究进展 | 第20-24页 |
| 1.6 Si 衬底 LED 技术 | 第24-26页 |
| 1.7 本论文的主要工作 | 第26-27页 |
| 第2章 GaN 基黄光 LED 外延生长 | 第27-60页 |
| 2.1 Si 衬底上 GaN 生长 | 第27-43页 |
| 2.1.1 AlN 生长优化 | 第27-31页 |
| 2.1.2 Al_xGa_(1-x)N 渐变缓冲层生长 | 第31-38页 |
| 2.1.3 非故意掺杂控制 | 第38-43页 |
| 2.2 高 In 组分 InGaN 生长 | 第43-52页 |
| 2.2.1 InGaN 晶体质量控制 | 第44-49页 |
| 2.2.2 InGaN 量子阱应力控制 | 第49-52页 |
| 2.3 应力准备层与黄光量子阱生长 | 第52-56页 |
| 2.4 V 型坑技术 | 第56-58页 |
| 2.5 小结 | 第58-60页 |
| 第3章 GaN 基黄光 LED 外延性质表征与分析 | 第60-73页 |
| 3.1 光致发光性质 | 第60-63页 |
| 3.1.1 激光激发(PL)性质 | 第60-61页 |
| 3.1.2 荧光(FL)性质 | 第61-63页 |
| 3.2 缺陷与界面表征 | 第63-66页 |
| 3.2.1 位错测量 | 第63-64页 |
| 3.2.2 透射电镜分析 | 第64-66页 |
| 3.3 应力与应变 | 第66-70页 |
| 3.3.1 晶格常数与 GaN 应变测量 | 第66-68页 |
| 3.3.2 量子阱应变测量 | 第68-70页 |
| 3.4 组分与厚度测量 | 第70-72页 |
| 3.4.1 In 组分测试 | 第70页 |
| 3.4.2 XRD 测量与拟合 | 第70-72页 |
| 3.5 小结 | 第72-73页 |
| 第4章 黄光 LED 器件性能分析 | 第73-92页 |
| 4.1 Si 衬底上黄光 LED 的芯片结构 | 第73-74页 |
| 4.2 黄光 LED 性能测试 | 第74-77页 |
| 4.3 变温变电流电致发光 | 第77-91页 |
| 4.3.1 电压特性研究 | 第77-79页 |
| 4.3.2 波长飘移研究 | 第79-85页 |
| 4.3.3 光谱与发光位置分析 | 第85-91页 |
| 4.4 小结 | 第91-92页 |
| 第5章 黄光 LED 效率 droop 研究 | 第92-115页 |
| 5.1 黄光 LED 的内量子效率 | 第92-97页 |
| 5.2 蓝光、绿光、黄光 LED 效率 droop 对比 | 第97-108页 |
| 5.2.1 电流 droop 对比 | 第97-102页 |
| 5.2.2 温度 droop 对比 | 第102-104页 |
| 5.2.3 波长 droop 研究 | 第104-107页 |
| 5.2.4 LED 的 droop 与电压 | 第107-108页 |
| 5.3 GaN 基与 AlGaInP 基黄光 LED 对比 | 第108-113页 |
| 5.4 小结 | 第113-115页 |
| 第6章 结论 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-130页 |
| 致谢 | 第130-131页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第131页 |
