| CATALOGUE | 第7-10页 |
| 摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-13页 |
| 主要符号表 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第15-16页 |
| 1.2 研究现状 | 第16-19页 |
| 1.3 论文的主要内容 | 第19-20页 |
| 1.4 本章小结 | 第20-21页 |
| 本章参考文献 | 第21-23页 |
| 第二章 电子器件的热管理及热应力概述 | 第23-37页 |
| 2.1 器件热管理 | 第23-26页 |
| 2.1.1 热管理概述 | 第23页 |
| 2.1.2 热量的传递方式 | 第23-24页 |
| 2.1.3 器件热阻 | 第24-26页 |
| 2.1.4 稳态和瞬态热分析 | 第26页 |
| 2.2 热应力分析 | 第26-27页 |
| 2.3 ANSYS仿真软件的介绍 | 第27-28页 |
| 2.3.1 ANSYS软件特点 | 第27页 |
| 2.3.2 ANSYS分析求解过程 | 第27-28页 |
| 2.4 IGBT器件简介 | 第28-32页 |
| 2.4.1 IGBT器件的结构特点 | 第28-30页 |
| 2.4.2 IGBT器件的工作原理 | 第30-31页 |
| 2.4.3 IGBT器件的封装形式 | 第31-32页 |
| 2.5 IGBT器件热可靠性考核试验 | 第32-34页 |
| 2.5.1 温度循环试验 | 第32-33页 |
| 2.5.2 功率循环试验 | 第33-34页 |
| 2.6 本章小结 | 第34-36页 |
| 本章参考文献 | 第36-37页 |
| 第三章 IGBT热可靠性的研究 | 第37-57页 |
| 3.1 IGBT热阻的测量方法的研究 | 第37-49页 |
| 3.1.1 传统测试IGBT热阻的试验方法 | 第37-39页 |
| 3.1.2 传统测试器件热阻方法的不足之处 | 第39页 |
| 3.1.3 瞬态双界面测试法原理 | 第39-41页 |
| 3.1.4 实验验证 | 第41-46页 |
| 3.1.5 有限元法仿真验证 | 第46-48页 |
| 3.1.6 结论 | 第48-49页 |
| 3.2 利用结构函数曲线研究IGBT封装质量 | 第49-54页 |
| 3.2.1 X射线透视技术与反射式扫描声学显微技术(C-SAM)的特点 | 第49-51页 |
| 3.2.2 结构函数曲线概述 | 第51-52页 |
| 3.2.3 利用结构函数曲线研究器件的封装质量 | 第52-54页 |
| 3.2.4 结论 | 第54页 |
| 3.3 本章小结 | 第54-56页 |
| 本章参考文献 | 第56-57页 |
| 第四章 IGBT失效模式的研究及优化设计 | 第57-89页 |
| 4.1 功率循环与温度循环情况下IGBT模块失效模式的模拟仿真 | 第57-70页 |
| 4.1.1 模型的建立及其相关参数 | 第58-59页 |
| 4.1.2 功率循环和温度循环情况下模型温度分布的模拟仿真 | 第59-62页 |
| 4.1.3 功率循环和温度循环情况下模型应力变化情况的模拟仿真 | 第62-70页 |
| 4.1.4 结论 | 第70页 |
| 4.2 焊料层引起的IGBT模块的失效 | 第70-77页 |
| 4.2.1 建模与材料参数 | 第71-72页 |
| 4.2.2 施加载荷 | 第72页 |
| 4.2.3 求解及结果分析 | 第72-76页 |
| 4.2.4 对芯片粘贴工艺改进建议 | 第76-77页 |
| 4.3 引线的焊接情况对IGBT模块最高温度的影响 | 第77-83页 |
| 4.3.1 引线的脱落情况对器件最高温度的影响 | 第77-79页 |
| 4.3.2 不同的引线横截面积对器件最高温度的影响 | 第79-80页 |
| 4.3.3 不同的引线数目对器件最高温度的影响 | 第80-83页 |
| 4.4 IGBT模块整体的传热优化设计 | 第83-86页 |
| 4.4.1 散热基板材料及其厚度的选择 | 第83-84页 |
| 4.4.2 陶瓷材料及其厚度的选择 | 第84-85页 |
| 4.4.3 焊料层及引线的选择 | 第85-86页 |
| 4.5 本章小结 | 第86-87页 |
| 本章参考文献 | 第87-89页 |
| 第五章 总结与展望 | 第89-91页 |
| 5.1 主要研究成果 | 第89页 |
| 5.2 主要创新点 | 第89-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
| 在校期间发表的论文和专利 | 第92-93页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第93页 |
