| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 研究的背景与意义 | 第11-15页 |
| 1.2 电火花烧结原理概述 | 第15-17页 |
| 1.3 电火花烧结国内外研究现状 | 第17-22页 |
| 1.3.1 实验研究 | 第18-20页 |
| 1.3.2 模拟研究 | 第20-22页 |
| 1.4 研究内容 | 第22-25页 |
| 第2章 分子动力学模拟概述 | 第25-37页 |
| 2.1 分子动力学模拟原理 | 第25-26页 |
| 2.2 势能函数及参数 | 第26-31页 |
| 2.2.1 Tersoff 势能 | 第27-29页 |
| 2.2.2 Erhart-Albe Tersoff 势能 | 第29-31页 |
| 2.3 积分算法 | 第31-33页 |
| 2.3.1 Verlet 算法 | 第31-32页 |
| 2.3.2 Velocity Verlet 算法 | 第32-33页 |
| 2.4 系综 | 第33-34页 |
| 2.5 周期性边界条件 | 第34-35页 |
| 2.6 本章小结 | 第35-37页 |
| 第3章 碳化硅纳米颗粒的致密化过程 | 第37-55页 |
| 3.1 碳化硅晶格类型的介绍 | 第37-38页 |
| 3.2 势能模型验证 | 第38-41页 |
| 3.2.1 碳化硅块体的势能和热容随温度的变化 | 第38-40页 |
| 3.2.2 径向分布函数曲线随时间的变化 | 第40-41页 |
| 3.3 碳化硅多球模型的建立与电火花烧结过程模拟 | 第41-50页 |
| 3.4 电火花烧结过程中的产生的晶格缺陷 | 第50-52页 |
| 3.5 晶粒增长 | 第52-53页 |
| 3.6 本章小结 | 第53-55页 |
| 第4章 影响致密化过程的条件 | 第55-73页 |
| 4.1 烧结温度对致密化过程的影响 | 第55-65页 |
| 4.2 升温速率对致密化过程的影响 | 第65-67页 |
| 4.3 保温时间对致密化过程的影响 | 第67-68页 |
| 4.4 烧结压强对致密化过程的影响 | 第68-70页 |
| 4.5 本章小结 | 第70-73页 |
| 第5章 全文总结 | 第73-75页 |
| 5.1 总结 | 第73-74页 |
| 5.2 展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-85页 |
| 作者简介 | 第85-87页 |
| 致谢 | 第87页 |