| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-26页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·透明导电氧化物薄膜的种类 | 第10-15页 |
| ·ZnO 基透明导电薄膜 | 第10-11页 |
| ·In_2O_3基透明导电薄膜 | 第11-12页 |
| ·SnO_2基透明导电薄膜性质 | 第12-15页 |
| ·透明导电氧化物薄膜的应用 | 第15-17页 |
| ·透明电极 | 第15页 |
| ·电磁屏蔽和防静电膜 | 第15页 |
| ·面发热膜 | 第15页 |
| ·电致变色窗 | 第15-16页 |
| ·气敏传感器 | 第16页 |
| ·触摸屏 | 第16页 |
| ·红外隐身材料与热红外反射镜 | 第16页 |
| ·其它用途 | 第16-17页 |
| ·透明导电氧化物薄膜的制备方法 | 第17-19页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第17页 |
| ·磁控溅射 | 第17-18页 |
| ·真空蒸镀 | 第18页 |
| ·化学气相沉积 | 第18页 |
| ·离子镀 | 第18页 |
| ·溶胶-凝胶 | 第18页 |
| ·其它方法 | 第18-19页 |
| ·本论文的主要工作 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-26页 |
| 第2章 实验原理，设备，样品制备和测试方法 | 第26-34页 |
| ·实验设备 | 第26-29页 |
| ·脉冲激光沉积（PLD） | 第26-28页 |
| ·磁控溅射 | 第28-29页 |
| ·SnO_2:Sb(ATO)陶瓷靶材的制备 | 第29-30页 |
| ·ATO 薄膜及 SnO_2/Ag/SnO_2多层结构薄膜的制备 | 第30-31页 |
| ·ATO 薄膜的 PLD 制备 | 第30-31页 |
| ·SnO_2/Ag/SnO_2多层结构薄膜的磁控溅射制备 | 第31页 |
| ·薄膜样品的测试方法 | 第31-33页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第31-32页 |
| ·紫外-可见-近红外光谱仪 | 第32页 |
| ·霍尔效应测试仪 | 第32页 |
| ·四探针测试仪 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第3章 PLD 法制备 Sb 掺杂 SnO_2透明导电薄膜及工艺研究 | 第34-46页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·实验过程 | 第34-35页 |
| ·结果和讨论 | 第35-42页 |
| ·氧气偏压对 PLD 制备 ATO 薄膜光电性质的影响 | 第35-37页 |
| ·沉积温度对 PLD 制备 ATO 薄膜的光电性质的影响 | 第37-39页 |
| ·薄膜厚度对 PLD 制备 ATO 薄膜的光电性质的影响 | 第39-41页 |
| ·Sb 掺杂含量对 PLD 制备 ATO 薄膜的光电性质的影响 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-46页 |
| 第4章 磁控溅射制备透明导电 SnO_2/Ag/SnO_2多层膜的特性研究 | 第46-56页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·实验过程 | 第46-47页 |
| ·结果和讨论 | 第47-51页 |
| ·SnO_2/Ag/SnO_2多层膜薄膜的电学性质 | 第47-49页 |
| ·SnO_2/Ag/SnO_2多层膜薄膜的能带结构 | 第49页 |
| ·SnO_2/Ag/SnO_2多层膜薄膜的光学性质 | 第49-51页 |
| ·SnO_2/Ag/SnO_2多层膜薄膜的光电优良指数 | 第51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 第5章 氧氩比对 SnO_2/Ag/SnO_2透明导电膜光电性能的影响 | 第56-64页 |
| ·前言 | 第56页 |
| ·实验过程 | 第56-57页 |
| ·结果和讨论 | 第57-60页 |
| ·结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士期间完成的论文 | 第65-66页 |
