| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-32页 |
| 1.1 石墨烯的概念、结构与性质 | 第14-17页 |
| 1.1.1 石墨烯的晶体结构及能带结构 | 第14-15页 |
| 1.1.2 石墨烯的物理性质 | 第15-17页 |
| 1.2 石墨烯的应用领域 | 第17-21页 |
| 1.3 石墨烯的研究现状 | 第21-30页 |
| 1.3.1 石墨烯的制备 | 第21-25页 |
| 1.3.2 石墨烯外延生长设备 | 第25-27页 |
| 1.3.3 石墨烯掺杂 | 第27页 |
| 1.3.4 Si 面 SiC 上石墨烯插层 | 第27-29页 |
| 1.3.5 石墨烯的光电效应 | 第29-30页 |
| 1.4 论文的选题依据和研究内容 | 第30-32页 |
| 第二章 实验方法 | 第32-44页 |
| 2.1 外延石墨烯的制备方法 | 第32-34页 |
| 2.1.1 SiC 衬底的氢气刻蚀原理 | 第32-33页 |
| 2.1.2 热解 SiC 法制备石墨烯的原理 | 第33-34页 |
| 2.2 外延石墨烯的表征方法 | 第34-41页 |
| 2.2.1 原子力显微分析技术(AFM) | 第34-36页 |
| 2.2.2 X 射线光电子能谱分析技术 (XPS) | 第36-37页 |
| 2.2.3 拉曼散射光谱分析技术(Raman) | 第37-39页 |
| 2.2.4 霍尔效应分析技术(Hall effect) | 第39-40页 |
| 2.2.5 电学及光电性能分析技术 | 第40-41页 |
| 2.3 微细加工工艺 | 第41-44页 |
| 2.3.1 硬掩膜技术 | 第41页 |
| 2.3.2 物理沉积 | 第41-42页 |
| 2.3.3 超声压焊 | 第42-44页 |
| 第三章 外延石墨烯制备系统的研制 | 第44-54页 |
| 3.1 真空系统 | 第44-46页 |
| 3.1.1 真空腔体 | 第45页 |
| 3.1.2 真空获得系统 | 第45-46页 |
| 3.2 感应加热及保温系统 | 第46-48页 |
| 3.3 温度探测及控制系统 | 第48-49页 |
| 3.4 气体流量及分压控制系统 | 第49-51页 |
| 3.5 外延石墨烯制备系统 | 第51-53页 |
| 3.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 外延石墨烯的可控制备 | 第54-77页 |
| 4.1 外延可控生长流程 | 第54-58页 |
| 4.1.1 清洗 | 第55-56页 |
| 4.1.2 氢气刻蚀 | 第56-57页 |
| 4.1.3 石墨化 | 第57-58页 |
| 4.2 Si 面 SiC 的刻蚀及石墨化 | 第58-66页 |
| 4.2.1 Si 面 SiC 的刻蚀 | 第58-62页 |
| 4.2.2 Si 面 SiC 的石墨化 | 第62-66页 |
| 4.3 C 面 SiC 的刻蚀及石墨化 | 第66-71页 |
| 4.3.1 C 面 SiC 的刻蚀 | 第66-68页 |
| 4.3.2 C 面 SiC 的石墨化 | 第68-71页 |
| 4.4 外延石墨烯膜厚的等离子减薄 | 第71-75页 |
| 4.5 本章小结 | 第75-77页 |
| 第五章 外延石墨烯的气流-温度微小扰动制备方法 | 第77-88页 |
| 5.1 气流-温度微扰法 | 第77-79页 |
| 5.2 Si 面 SiC 上的石墨烯气流-温度微扰制备 | 第79-83页 |
| 5.3 C 面 SiC 上的石墨烯气流-温度微扰制备 | 第83-87页 |
| 5.4 本章小结 | 第87-88页 |
| 第六章 外延石墨烯的液相掺杂及液相氟插层 | 第88-103页 |
| 6.1 SiC 衬底上外延石墨烯的液相掺杂 | 第88-95页 |
| 6.2 石墨烯的液相氟插层 | 第95-101页 |
| 6.2.1 气、固相插层方法 | 第95-97页 |
| 6.2.2 液相氟插层实验方案 | 第97-98页 |
| 6.2.3 液相氟插层去耦合效应 | 第98-101页 |
| 6.3 本章小结 | 第101-103页 |
| 第七章 外延石墨烯的异常光电效应 | 第103-117页 |
| 7.1 石墨烯薄膜的光电效应 | 第103页 |
| 7.2 试验方案 | 第103-104页 |
| 7.3 CVD 石墨烯的光电效应 | 第104-108页 |
| 7.4 C 面 SiC 衬底上的外延石墨烯的光电效应 | 第108-111页 |
| 7.5 Si 面 SiC 衬底上的外延石墨烯的异常光电效应 | 第111-115页 |
| 7.6 本章小结 | 第115-117页 |
| 第八章 结论 | 第117-120页 |
| 8.1 结论 | 第117-118页 |
| 8.2 创新点 | 第118-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-131页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第131-134页 |
