电动汽车逆变器大功率IGBT模块新型封装技术研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外现状和技术发展现状 | 第9-12页 |
| 1.2.1 功率电子模块封装的发展现状 | 第9-10页 |
| 1.2.2 高温芯片连接技术的研究进展 | 第10-12页 |
| 1.2.3 用于芯片连接的纳米银膏低温烧结技术 | 第12页 |
| 1.3 论文主要研究内容 | 第12-14页 |
| 第二章 模块基板和模拟芯片的制作 | 第14-22页 |
| 2.1 模块基板的制作过程 | 第14-18页 |
| 2.1.1 模块的电路结构 | 第14-15页 |
| 2.1.2 制作模块基板的实验过程 | 第15-18页 |
| 2.2 模拟芯片的制作过程 | 第18-21页 |
| 2.2.1 芯片的选型 | 第18-19页 |
| 2.2.2 制作模拟芯片的实验过程 | 第19-21页 |
| 2.3 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 无压纳米银焊膏烧结性能 | 第22-41页 |
| 3.1 常用封装材料的种类和封装方法 | 第22-31页 |
| 3.1.1 焊膏的分类和组成 | 第22-24页 |
| 3.1.2 典型焊膏配方 | 第24页 |
| 3.1.3 烧结的基本过程 | 第24-25页 |
| 3.1.4 烧结过程的驱动力 | 第25-27页 |
| 3.1.5 纳米银焊膏及其连接方法简介 | 第27-31页 |
| 3.2 无压纳米银焊膏的烧结性能试验 | 第31-40页 |
| 3.2.1 试样的制备 | 第31页 |
| 3.2.2 烧结连接过程 | 第31-34页 |
| 3.2.3 微 X 射线断层扫描观察 | 第34-35页 |
| 3.2.4 剪切实验 | 第35-36页 |
| 3.2.5 实验结果分析 | 第36-38页 |
| 3.2.6 扫描电镜对连接层的检测 | 第38-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 IGBT 模块的制作 | 第41-53页 |
| 4.1 IGBT 简介 | 第41-47页 |
| 4.1.1 半导体功率器件技术回顾 | 第41-43页 |
| 4.1.2 IGBT 的工作机理分析 | 第43-46页 |
| 4.1.3 IGBT 功率模块介绍 | 第46-47页 |
| 4.2 模块的烧结过程 | 第47-50页 |
| 4.3 烧结后的工艺路线 | 第50页 |
| 4.4 模块的电性能检测 | 第50-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 结论 | 第53-55页 |
| 5.1 本文的主要研究内容 | 第53-54页 |
| 5.2 下一步工作建议及展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
