| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-23页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 柔性电子研究进展 | 第9-11页 |
| 1.3 新型非挥发存储器研究进展 | 第11-20页 |
| 1.3.1 FRAM和FeFET memory | 第12-13页 |
| 1.3.2 STT-MRAM | 第13-14页 |
| 1.3.3 PCRAM | 第14-15页 |
| 1.3.4 RRAM | 第15-19页 |
| 1.3.5 Macromolecular memory | 第19-20页 |
| 1.3.6 各种存储器性能的比较 | 第20页 |
| 1.4 本章小结及论文框架结构 | 第20-23页 |
| 第二章 低温薄膜制备技术与实验样品测试方法 | 第23-30页 |
| 2.1 低温薄膜制备技术 | 第23-26页 |
| 2.1.1 物理气相淀积(PVD) | 第23页 |
| 2.1.2 溶胶-凝胶法(sol-gel) | 第23-24页 |
| 2.1.3 化学液相淀积法(CLPD) | 第24页 |
| 2.1.4 低压金属有机物化学气相淀积法(LPMOCVD) | 第24页 |
| 2.1.5 低温原子层淀积技术(LTALD) | 第24-26页 |
| 2.2 薄膜材料测试方法 | 第26-28页 |
| 2.2.1 X射线光电子能谱测试技术 | 第26页 |
| 2.2.2 椭圆偏振光测量技术 | 第26-27页 |
| 2.2.3 透射电子显微技术 | 第27-28页 |
| 2.3 FRRAM的电学测试方法 | 第28-29页 |
| 2.4 FRRAM器件的制备 | 第29-30页 |
| 第三章 二元金属氧化物FRRAM阻变特性 | 第30-44页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 低温原子层淀积二元金属氧化物 | 第30-35页 |
| 3.2.1 低温原子层淀积技术淀积Al_2O_3薄膜及其材料表征 | 第30-34页 |
| 3.2.2 低温原子层淀积技术淀积HfO_2薄膜及其材料表征 | 第34-35页 |
| 3.3 基于Al_2O_3的FRRAM阻变特性的研究 | 第35-38页 |
| 3.4 基于HfO_2的FRRAM阻变特性的研究 | 第38-43页 |
| 3.4.1 基于TiN/HfO_2/ITO结构的FRRAM器件的阻变特性 | 第38-41页 |
| 3.4.2 基于HfO_2阻变层的FRRAM器件的电流机制的阻变机理的研究 | 第41-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 堆栈结构金属氧化物FRRAM器件研究 | 第44-55页 |
| 4.1 引言 | 第44-45页 |
| 4.2 堆栈结构的FRRAM器件的设计研究 | 第45-50页 |
| 4.2.1 基于HfO_2/Al_2O_3薄膜的FRRAM器件制备 | 第45页 |
| 4.2.2 基于HfO_2(10 nm)/Al_2O_3(2nm)薄膜的FRRAM器件阻变特性研究 | 第45-47页 |
| 4.2.3 基于HfO_2(10 nm)/Al_2O_3(5nm)薄膜的FRRAM器件阻变特性研究 | 第47-50页 |
| 4.3 堆栈结构对FRRAM器件阻变特性的影响 | 第50-51页 |
| 4.4 基于堆栈结构FRRAM器件的阻变机理的研究 | 第51-52页 |
| 4.5 基于堆栈结构FRRAM器件的等效电路模型研究 | 第52-54页 |
| 4.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-64页 |
| 硕士阶段发表的学术成果 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
