摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第13-33页 |
1.1 引言 | 第13页 |
1.2 海水淡化技术简介 | 第13-15页 |
1.3 膜蒸馏过程简介 | 第15-19页 |
1.3.1 膜蒸馏发展历史 | 第15-17页 |
1.3.2 膜蒸馏的分类 | 第17-18页 |
1.3.3 膜的性质 | 第18-19页 |
1.4 多孔陶瓷膜的制备 | 第19-23页 |
1.4.1 陶瓷膜的简介 | 第19-20页 |
1.4.2 陶瓷膜成型工艺 | 第20-22页 |
1.4.3 相转化法固化成型 | 第22-23页 |
1.5 表面修饰改性工艺 | 第23页 |
1.6 本文的实验思路 | 第23-25页 |
参考文献 | 第25-33页 |
第二章 实验原料以及表征方法 | 第33-41页 |
2.1 实验所用试剂及纯度 | 第33-34页 |
2.2 实验中所需要的仪器 | 第34-41页 |
2.2.1 陶瓷膜的制备仪器 | 第34-36页 |
2.2.2 陶瓷膜的性能表征仪器 | 第36-38页 |
2.2.3 膜蒸馏实验设备 | 第38-41页 |
第三章 陶瓷膜的制备 | 第41-59页 |
3.1 引言 | 第41页 |
3.2 β-Sialon中空纤维管膜的制备 | 第41-46页 |
3.2.1 β-Sialon浆料的制备 | 第41-42页 |
3.2.2 β-Sialon纤维管的成型和烧结 | 第42-43页 |
3.2.3 β-Sialon纤维管膜的表征 | 第43-46页 |
3.3 氮化硅平板膜的制备 | 第46-50页 |
3.3.1 氮化硅浆料的制备 | 第47页 |
3.3.2 氮化硅平板膜的成型和烧结 | 第47页 |
3.3.3 氮化硅平板膜表征 | 第47-50页 |
3.4 β-Sialon平板膜的制备 | 第50-55页 |
3.4.1 β-Sialon浆料的制备 | 第50-51页 |
3.4.2 β-Sialon平板膜的成型和烧结 | 第51-52页 |
3.4.3 β-Sialon平板膜的表征 | 第52-55页 |
3.5 本章小结 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-59页 |
第四章 陶瓷膜的表面疏水改性和膜蒸馏过程 | 第59-89页 |
4.1 引言 | 第59页 |
4.2 FAS基团嫁接改性 | 第59-62页 |
4.2.1 表面改性方法 | 第59-60页 |
4.2.2 氟硅烷修饰对陶瓷膜表面润湿性能影响 | 第60-61页 |
4.2.3 膜蒸馏实验结果 | 第61-62页 |
4.3 氮化硅平板膜表面SiCNO纳米颗粒修饰改性 | 第62-78页 |
4.3.1 SiCNO修饰实验过程 | 第63-64页 |
4.3.2 SiCNO粉体结构性质表征 | 第64-69页 |
4.3.3 改性后陶瓷膜疏水性表征 | 第69-71页 |
4.3.4 陶瓷膜疏水稳定性探究 | 第71-73页 |
4.3.5 疏水陶瓷膜的膜蒸馏过程中的应用 | 第73-78页 |
4.4 β-Sialon平板膜表面的PDMS热解修饰 | 第78-83页 |
4.4.1 PDMS热解修饰过程 | 第78页 |
4.4.2 热解改性后陶瓷膜性能表征 | 第78-81页 |
4.4.3 陶瓷膜疏水稳定性 | 第81-82页 |
4.4.4 膜蒸馏测试 | 第82-83页 |
4.5 本章小结 | 第83-84页 |
参考文献 | 第84-89页 |
第五章 膜蒸馏通量的改善 | 第89-99页 |
5.1 引言 | 第89页 |
5.2 双层流延法去除海绵层提高膜蒸馏通量 | 第89-93页 |
5.2.1 实验过程 | 第89-90页 |
5.2.2 性能表征 | 第90-91页 |
5.2.3 膜蒸馏测试 | 第91-93页 |
5.3 热压法提高陶瓷膜性能 | 第93-96页 |
5.3.1 实验过程 | 第93页 |
5.3.2 性能表征 | 第93-95页 |
5.3.3 膜蒸馏过程 | 第95-96页 |
5.4 本章总结 | 第96-98页 |
参考文献 | 第98-99页 |
第六章 氮化硅管式膜支撑的ZIF-8膜的气体分离性能 | 第99-109页 |
6.1 引言 | 第99页 |
6.2 ZIF-8膜的制备 | 第99-101页 |
6.3 分离膜的表征 | 第101-103页 |
6.4 气体分离性能 | 第103-106页 |
6.5 本章总结 | 第106-107页 |
参考文献 | 第107-109页 |
第七章 总结和展望 | 第109-113页 |
7.1 全文总结 | 第109-110页 |
7.2 不足和展望 | 第110-113页 |
攻读博士期间发表的论文和其他研究成果 | 第113-115页 |
致谢 | 第115页 |