| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 功率半导体器件的发展概述 | 第9-11页 |
| 1.2 MCT的发展历史和变迁 | 第11-14页 |
| 1.3 国内外MCT的研究和发展态势 | 第14-15页 |
| 1.4 本章小结 | 第15-17页 |
| 第二章 MCT的结构和工作机理 | 第17-37页 |
| 2.1 晶闸管的结构和特点 | 第17-24页 |
| 2.1.1 晶闸管的阻断特性 | 第17-23页 |
| 2.1.1.1 正向阻断 | 第18-20页 |
| 2.1.1.2 反向阻断 | 第20-23页 |
| 2.1.2 晶闸管的导通特性 | 第23-24页 |
| 2.2 门极可关断晶闸管(GTO) | 第24-26页 |
| 2.3 MOS控制晶闸管（MCT） | 第26-36页 |
| 2.3.1 N型MCT和P型MCT | 第27页 |
| 2.3.2 MCT工作模式和机理 | 第27-36页 |
| 2.3.2.1 MCT的正向阻断特性分析 | 第28-30页 |
| 2.3.2.2 MCT的导通特性分析 | 第30-33页 |
| 2.3.2.3 MCT的瞬态特性 | 第33-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 MCT的关断失效 | 第37-54页 |
| 3.1 Medici仿真软件两种模型介绍 | 第37-40页 |
| 3.1.1 复合模型 | 第37-38页 |
| 3.1.2 迁移率模型 | 第38-40页 |
| 3.2 MCT的关断失效 | 第40-43页 |
| 3.3 MCT的最大可关断电流 | 第43-53页 |
| 3.3.1 MCT的最大可关断电流理论分析 | 第43-45页 |
| 3.3.2 一种增强了电流关断能力的MCT仿真分析 | 第45-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 耐压 600 V的终端结构设计 | 第54-65页 |
| 4.1 几种常用结终端技术的简介 | 第54-57页 |
| 4.2 单个场限环的耐压规律研究 | 第57-59页 |
| 4.3 耐压 600 V的终端结构设计 | 第59-64页 |
| 4.3.1 场限环结构的设计 | 第59-62页 |
| 4.3.2 场限环结构的设计仿真结果 | 第62-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 5.1 论文总结 | 第65-66页 |
| 5.2 工作改进方向 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第71-72页 |