| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 研究背景概述 | 第9-10页 |
| 1.2 新型非挥发存储器的介绍 | 第10-19页 |
| 1.2.1 铁电存储器 | 第10-13页 |
| 1.2.2 相变存储器 | 第13-14页 |
| 1.2.3 磁阻存储器 | 第14-17页 |
| 1.2.4 阻变存储器 | 第17-19页 |
| 1.3 本论文的工作 | 第19-20页 |
| 第二章 新型非挥发存储器电路设计研究 | 第20-31页 |
| 2.1 新型非挥发存储器特点概述 | 第20-21页 |
| 2.2 新型非挥发存储器针对性设计技术 | 第21-26页 |
| 2.2.1 针对数据“0”和“1”写入要求不对称的电路设计方法 | 第21-24页 |
| 2.2.2 针对读写过程差异化的单元设计技术 | 第24-26页 |
| 2.3 新型非挥发存储器接口电路设计方法 | 第26-30页 |
| 2.3.1 传统存储器接口电路介绍 | 第26-27页 |
| 2.3.2 新型非挥发存储器接口电路改进方法 | 第27-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 新型非挥发存储器的多值存储技术及优化 | 第31-44页 |
| 3.1 新型非挥发存储器的多值存储原理分析 | 第31-38页 |
| 3.1.1 铁电存储多值技术 | 第31-32页 |
| 3.1.2 相变存储多值技术 | 第32-35页 |
| 3.1.3 阻变多值存储技术 | 第35页 |
| 3.1.4 磁阻多值存储技术 | 第35-38页 |
| 3.2 2T1MTJs磁阻多值存储单元 | 第38-39页 |
| 3.2.1 2T1MTJs单元电路的结构 | 第38页 |
| 3.2.2 2T1MTJs单元电路的操作 | 第38-39页 |
| 3.3 2T1MTJs结构仿真及分析 | 第39-43页 |
| 3.3.1 仿真设计 | 第39-40页 |
| 3.3.2 1T1MTJs单元电路仿真结果 | 第40页 |
| 3.3.3 2T1MTJs单元电路仿真结果 | 第40-41页 |
| 3.3.4 仿真结果分析 | 第41-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 新型非挥发存储器功耗和可靠性优化 | 第44-56页 |
| 4.1 功耗优化综述 | 第44-45页 |
| 4.2 编码优化读出功耗技术的验证与研究 | 第45-51页 |
| 4.2.1 编码优化读出功耗的技术方案 | 第46页 |
| 4.2.2 编码优化读出功耗技术方案的论证 | 第46-48页 |
| 4.2.3 编码优化读出功耗技术方案的实验验证 | 第48-50页 |
| 4.2.4 编码优化读写功耗技术的整读写过程研究 | 第50-51页 |
| 4.3 基于编码优化读出功耗技术的可靠性改进 | 第51-55页 |
| 4.3.1 添加奇偶校验位的可靠性改进方案 | 第51-53页 |
| 4.3.2 奇偶校验位对功耗的影响分析 | 第53页 |
| 4.3.3 改进方案的功耗优化对比验证 | 第53-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-58页 |
| 5.1 论文的主要成果 | 第56-57页 |
| 5.2 论文的创新点 | 第57页 |
| 5.3 未来工作的展望 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第65-66页 |