SiC二极管的非线性行为及其开关损耗研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9页 |
| 1.2 功率半导体器件非线性的研究现状 | 第9-13页 |
| 1.3 SiC功率半导体器件的开关特性研究现状 | 第13页 |
| 1.4 本文的研究内容及章节安排 | 第13-15页 |
| 第二章 SiC二极管的非线性动力学模型 | 第15-27页 |
| 2.1 SiC二极管的结构及工作原理 | 第15-16页 |
| 2.1.1 直流信号下的工作原理 | 第15-16页 |
| 2.1.2 交流信号下的工作原理 | 第16页 |
| 2.2 SiC二极管的非线性动力学模型 | 第16-26页 |
| 2.2.0 半导体器件的基本方程 | 第16-17页 |
| 2.2.1 P~+发射区 | 第17-18页 |
| 2.2.2 N-漂移区 | 第18-25页 |
| 2.2.3 N+发射区 | 第25页 |
| 2.2.4 总电压降 | 第25-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 SiC二极管的分岔以及混沌非线性行为 | 第27-45页 |
| 3.1 SiC二极管的仿真模型 | 第27-33页 |
| 3.1.1 SiC二极管仿真模型的建立 | 第27-31页 |
| 3.1.2 SiC二极管仿真模型的仿真与验证 | 第31-33页 |
| 3.2 SiC二极管的分岔以及混沌非线性行为分析 | 第33-42页 |
| 3.2.1 RLD电路 | 第33-34页 |
| 3.2.2 仿真分析 | 第34-41页 |
| 3.2.3 实验分析 | 第41-42页 |
| 3.3 非线性现象产生的机理分析 | 第42-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 SiC二极管在Buck电路中的损耗分析 | 第45-54页 |
| 4.1 器件开关特性测试结果与分析 | 第45-48页 |
| 4.2 器件在Buck电路中损耗的对比分析 | 第48-53页 |
| 4.2.1 Buck电路及其主要参数 | 第48-49页 |
| 4.2.2 功率器件的损耗分析与对比 | 第49-51页 |
| 4.2.3 实验结果及分析 | 第51-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-55页 |
| 5.1 全文工作的总结 | 第54页 |
| 5.2 后续工作的展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 附录：攻读学位期间所获得的研究成果 | 第60页 |
