| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·研究的背景和意义 | 第10-11页 |
| ·论文结构安排 | 第11-13页 |
| 参考文献 | 第13-14页 |
| 第二章 新型GaAs基光电子材料的实验研究 | 第14-34页 |
| ·B_xAl_(1-x)As/GaAs的LP-MOCVD生长实验 | 第14-21页 |
| ·B_xAl_(1-x)As最佳生长温度范围的探索 | 第15-18页 |
| ·TEB流量对B并入比的影响 | 第18-20页 |
| ·AFM测试分析 | 第20-21页 |
| ·B_xAlyIn_(1-x-y)As/GaAs合金的研究 | 第21-26页 |
| ·B_xAl_yIn_(1-x-y)As的LP-MOCVD生长实验 | 第21-22页 |
| ·B_xAl_yIn_(1-x-y)As的XRD扫描测试结果 | 第22-24页 |
| ·B_xAl_yIn_(1-x-y)As的SIMS测试结果分析 | 第24-25页 |
| ·B_xAl_(1-x)As/GaAs和B_xAl_yIn_(1-x-y)As/GaAs多量子阱 | 第25-26页 |
| ·InAs/GaAs量子点的LP-MOCVD生长研究 | 第26-31页 |
| ·InAs/GaAs量子点的LP-MOCVD生长实验 | 第27页 |
| ·InAs/GaAs量子点的最佳生长温度范围的探索 | 第27-29页 |
| ·Ⅴ/Ⅲ比对InAs/GaAs量子点的影响 | 第29-30页 |
| ·InAs/GaAs量子点的PL谱测量结果分析 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 第三章 新型Si基四元系材料GaInNP的理论计算 | 第34-74页 |
| ·第一性原理的计算方法及CASTEP软件简介 | 第34-40页 |
| ·局域密度近似(LDA)与广义梯度近似(GGA) | 第34-36页 |
| ·第一性原理的算法及CASTEP软件特点 | 第36-40页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的基本性质 | 第40-44页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的晶体模型 | 第40-41页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族半导体的Vegard定理及bowing参数 | 第41-44页 |
| ·二元系材料的理论计算 | 第44-48页 |
| ·二元系材料的晶格常数计算 | 第45页 |
| ·二元系材料的能隙计算 | 第45-48页 |
| ·三元系材料的能隙计算 | 第48-70页 |
| ·超胞近似 | 第48-50页 |
| ·GaNP的能隙性质 | 第50-57页 |
| ·GaInP的能隙性质 | 第57-63页 |
| ·GaInN的能隙性质 | 第63-66页 |
| ·InPN的能隙性质 | 第66-70页 |
| ·GaInNP的能隙计算 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第76页 |
