低导通电阻碳化硅光导开关研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第9-10页 |
| 缩略语对照表 | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第13-15页 |
| 1.2 SiC光导开关研究现状 | 第15-16页 |
| 1.3 本文的工作安排 | 第16-19页 |
| 第二章 碳化硅光导开关理论研究 | 第19-25页 |
| 2.1 光导开关理论研究 | 第19-21页 |
| 2.1.1 半导体材料的电导率和迁移率 | 第19-20页 |
| 2.1.2 半导体材料的导通特性 | 第20-21页 |
| 2.2 碳化硅光导开关输出特性理论模拟 | 第21-24页 |
| 2.2.1 载流子的分布 | 第21-22页 |
| 2.2.2 方程的离散化求解 | 第22-23页 |
| 2.2.3 理论模拟结果与分析 | 第23-24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 光导开关的制备及测试平台 | 第25-35页 |
| 3.1 碳化硅的材料选择 | 第25-26页 |
| 3.1.1 材料的参数 | 第25-26页 |
| 3.2 光导开关结构设计与制备 | 第26-28页 |
| 3.2.1 开关的结构 | 第26-27页 |
| 3.2.2 制备流程 | 第27-28页 |
| 3.3 测试平台 | 第28-34页 |
| 3.3.1 电路原理 | 第28-29页 |
| 3.3.2 电路元件参数 | 第29-30页 |
| 3.3.3 微带电路的引入 | 第30-33页 |
| 3.3.4 系统搭建 | 第33-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 碳化硅光导开关导通电阻特性研究 | 第35-45页 |
| 4.1 有无离子注入对开关导通电阻的影响 | 第35-37页 |
| 4.1.2 无离子注入时的最小导通电阻 | 第35-36页 |
| 4.1.3 增加离子注入工艺后的最小导通电阻 | 第36-37页 |
| 4.2 触发光能量对最小导通电阻的影响 | 第37页 |
| 4.3 激光光斑大小对最小导通电阻的影响 | 第37-41页 |
| 4.3.1 光斑优化理论研究 | 第38-39页 |
| 4.3.2 光斑优化实验研究 | 第39-41页 |
| 4.4 不同偏置电压下器件的输出特性 | 第41-42页 |
| 4.5 本章小结 | 第42-45页 |
| 第五章 总结与展望 | 第45-47页 |
| 5.1 本文总结 | 第45页 |
| 5.2 展望未来 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 作者简介 | 第53-54页 |
