| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第11-13页 |
| 1.2 基于不同MMIC工艺的W波段功放国内外研究动态 | 第13-17页 |
| 1.2.1 Si基CMOS工艺 | 第13页 |
| 1.2.2 Ga As基HEMT/p HEMT工艺 | 第13-14页 |
| 1.2.3 In P基HEMT/HBT工艺 | 第14-15页 |
| 1.2.4 Ga N基HEMT工艺 | 第15-17页 |
| 1.3 本论文的主要贡献与创新 | 第17页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第17-19页 |
| 第二章 工艺的选择与PP10-10 工艺分析 | 第19-32页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 工艺的选择 | 第19-21页 |
| 2.3 WIN PP10-10 工艺简介与分析 | 第21-31页 |
| 2.3.1 工艺基本特征与流程 | 第21-24页 |
| 2.3.2 基于PP10-10 工艺的W波段MMIC功放组成元件 | 第24-31页 |
| 2.3.2.1 Ga As p HEMT有源器件 | 第24-26页 |
| 2.3.2.2 薄膜电阻与MIM电容 | 第26-29页 |
| 2.3.2.3 微带线 | 第29-30页 |
| 2.3.2.4 焊盘与背孔 | 第30-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 W波段MMIC功放设计关键技术研究 | 第32-48页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 MMIC功放基本设计理论 | 第32-37页 |
| 3.2.1 矩量法(Momentum) | 第32-34页 |
| 3.2.2 负载牵引(Load-Pull) | 第34-35页 |
| 3.2.3 功放基本参数 | 第35-37页 |
| 3.3 设计方法 | 第37-39页 |
| 3.4 有源器件的选择与分析 | 第39-41页 |
| 3.5 接地技术 | 第41-44页 |
| 3.6 功率合成技术 | 第44-46页 |
| 3.7 稳定性分析 | 第46-47页 |
| 3.8 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 三级两路功率合成结构W波段MMIC功放的研究与设计 | 第48-78页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 设计指标 | 第48-49页 |
| 4.3 电路拓扑结构的确定与分析 | 第49-52页 |
| 4.4 各模块具体设计与分析 | 第52-68页 |
| 4.4.1 输出匹配及二路功率合成网络 | 第52-59页 |
| 4.4.2 二三级级间匹配网络 | 第59-63页 |
| 4.4.3 一二级级间匹配及功率分配网络 | 第63-67页 |
| 4.4.4 输入匹配网络 | 第67-68页 |
| 4.5 整体的调节与仿真 | 第68-76页 |
| 4.5.1 整体版图仿真方法及注意事项 | 第68-71页 |
| 4.5.2 小信号仿真及结果分析 | 第71-73页 |
| 4.5.3 大信号仿真及结果分析 | 第73-76页 |
| 4.6 本章小结 | 第76-78页 |
| 第五章 四级四路功率合成W波段MMIC功放的研究与设计 | 第78-102页 |
| 5.1 引言 | 第78页 |
| 5.2 电路拓扑结构与指标分析 | 第78-80页 |
| 5.3 各模块设计与分析 | 第80-90页 |
| 5.3.1 输出匹配与四路功率合成网络 | 第80-84页 |
| 5.3.2 三四级级间匹配及功率分配网络 | 第84-86页 |
| 5.3.3 二三级级间匹配网络 | 第86-87页 |
| 5.3.4 一二级级间及输入匹配网络 | 第87-90页 |
| 5.4 整体调节与仿真 | 第90-96页 |
| 5.4.1 小信号仿真及结果分析 | 第91-92页 |
| 5.4.2 大信号仿真及结果分析 | 第92-96页 |
| 5.5 W波段MMIC功放的热设计 | 第96-101页 |
| 5.5.1 热力学原理分析 | 第96-97页 |
| 5.5.2 基于Cooke模型的热设计 | 第97-101页 |
| 5.6 本章小结 | 第101-102页 |
| 第六章 总结与展望 | 第102-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-110页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第110-111页 |
