低维薄膜材料的第一性原理研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 表面/界面效应 | 第11-12页 |
| 1.3 分子自组装薄膜材料 | 第12-14页 |
| 1.4 二维材料 | 第14-17页 |
| 1.5 本文的研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 密度泛函理论基础 | 第19-25页 |
| 2.1 多粒子体系的Sch?dinger方程 | 第19-20页 |
| 2.2 Born-Oppenheimer近似 | 第20页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第20-22页 |
| 2.3.1 Thomas-Fermi模型 | 第20-21页 |
| 2.3.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第21页 |
| 2.3.3 Kohn-Sham方程 | 第21-22页 |
| 2.4 换关联泛函 | 第22-23页 |
| 2.4.1 局域密度近似(LDA) | 第22-23页 |
| 2.4.2 广义梯度近似(GGA) | 第23页 |
| 2.5 vdW修正 | 第23-24页 |
| 2.6 计算软件简介 | 第24-25页 |
| 第3章 CoPc/Bi(111)界面的电子性质 | 第25-37页 |
| 3.1 研究背景 | 第25-26页 |
| 3.2 计算细节及实验方法 | 第26-27页 |
| 3.3 计算结果与讨论 | 第27-35页 |
| 3.3.1 吸附构型 | 第27-28页 |
| 3.3.2 界面电子结构 | 第28-32页 |
| 3.3.3 界面的电荷转移机制 | 第32-33页 |
| 3.3.4 X射线光电子能谱(XPS) | 第33-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第4章 单层与双层碲纳米带的电子结构 | 第37-49页 |
| 4.1 研究背景 | 第37-38页 |
| 4.2 模型建立与计算细节 | 第38-40页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第40-48页 |
| 4.3.1 单层碲纳米带的形成能 | 第40-41页 |
| 4.3.2 单层碲纳米带的电子结构 | 第41-45页 |
| 4.3.3 双层碲纳米带的形成能与电子结构 | 第45-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 5.1 总结 | 第49-50页 |
| 5.2 展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第61页 |
