| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-12页 |
| ·社会对传感器需求的新动向 | 第9页 |
| ·传感器开发研究的重要意义 | 第9-10页 |
| ·传感器技术面临技术落后瓶颈，需新的突破 | 第10页 |
| ·本研究课题的主要内容及方法 | 第10-12页 |
| 第二章 传感器的分类及压阻式传感器的原理 | 第12-19页 |
| ·传感器 | 第12-14页 |
| ·传感器的定义 | 第12页 |
| ·传感器的主要分类方法 | 第12-13页 |
| ·压阻式传感器的能带理论 | 第13页 |
| ·硅压力传感器 | 第13-14页 |
| ·压力传感器的原理 | 第14-18页 |
| ·压阻效应 | 第14-16页 |
| ·压力传感器的工作原理 | 第16-17页 |
| ·压力传感器的结构 | 第17-18页 |
| ·本章小结 | 第18-19页 |
| 第三章 前道工序中几个的基本工艺 | 第19-34页 |
| ·硅晶片的选用 | 第19-21页 |
| ·硅压力传感器衬底制备的相关问题 | 第19页 |
| ·单晶硅片的选用及抛光 | 第19-20页 |
| ·衬底的清洗 | 第20-21页 |
| ·氧化薄膜的制备 | 第21-25页 |
| ·干氧氧化的原理 | 第21-22页 |
| ·水汽氧化的原理 | 第22-24页 |
| ·氧化层与时间的关系 | 第24-25页 |
| ·氧化薄膜的制备中氧化实验数据 | 第25页 |
| ·扩散 | 第25-30页 |
| ·扩散方程 | 第25-28页 |
| ·杂质源与扩散方法 | 第28-30页 |
| ·扩散中的部分实验数据 | 第30页 |
| ·光刻 | 第30-33页 |
| ·光刻胶 | 第30-31页 |
| ·光刻工艺过程 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 敏感薄膜的制备 | 第34-41页 |
| ·圆形，矩形，和正方形薄膜的比较与选用 | 第34-35页 |
| ·体腔刻蚀 | 第35-38页 |
| ·Si 体腔的刻蚀—敏感膜的制作的化学机理 | 第35页 |
| ·Si 体腔的刻蚀影响腐蚀速率的因素 | 第35-37页 |
| ·阳极腐蚀法 | 第37页 |
| ·凸角腐蚀及其补偿 | 第37-38页 |
| ·体腔刻蚀 | 第38-40页 |
| ·体腔刻蚀 | 第38-40页 |
| ·硅杯压力腔掩膜尺寸的设计 | 第40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 压敏电阻条的设计 | 第41-47页 |
| ·设计时需要考虑的有关问题 | 第41-42页 |
| ·电阻的参数及结构 | 第42-43页 |
| ·敏感电阻RO 的值 | 第42页 |
| ·力敏电阻的宽度 | 第42-43页 |
| ·敏感电阻条的长度L | 第43页 |
| ·基本参数 | 第43-46页 |
| ·方形膜片应变规律及力敏电阻在敏感膜片上的位置确定 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第六章 计算与仿真 | 第47-52页 |
| ·平膜应力 | 第47-49页 |
| ·平膜结构的应力 | 第47-48页 |
| ·方形膜的最大挠度与最大应力位置 | 第48-49页 |
| ·方形膜的最大挠度与最大应力计算与仿真 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第七章 总结及展望 | 第52-53页 |
| ·总结 | 第52页 |
| ·展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 攻读硕士学位期间出版或发表的论著、论文 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |