| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-29页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 陶瓷工业废料废渣的来源及分类 | 第13-15页 |
| 1.3 陶瓷工业废料废渣的国内外综合利用现状 | 第15-21页 |
| 1.3.1 用于制备多孔材料 | 第15-18页 |
| 1.3.1.1 制备多孔轻质陶瓷 | 第15-16页 |
| 1.3.1.2 制备多孔陶瓷透水砖 | 第16-17页 |
| 1.3.1.3 制备多孔吸声材料 | 第17-18页 |
| 1.3.1.4 制备陶粒 | 第18页 |
| 1.3.2 用于制备免烧砖 | 第18页 |
| 1.3.3 用于水泥生产 | 第18-19页 |
| 1.3.4 用于混凝土材料 | 第19页 |
| 1.3.5 用于生产釉面砖 | 第19-20页 |
| 1.3.6 用于回收重金属 | 第20-21页 |
| 1.4 陶瓷抛光废渣的发泡机理 | 第21-24页 |
| 1.5 SiC 的特性及其氧化行为 | 第24-27页 |
| 1.5.1 SiC 的晶体结构 | 第24-25页 |
| 1.5.2 SiC 的特性 | 第25页 |
| 1.5.3 SiC 的氧化行为 | 第25-27页 |
| 1.5.3.1 SiC 的氧化热力学 | 第25-26页 |
| 1.5.3.2 SiC 的氧化动力学 | 第26-27页 |
| 1.6 本课题的研究意义，目的及主要研究内容 | 第27-29页 |
| 1.6.1 本课题研究意义和目的 | 第27-28页 |
| 1.6.2 本课题主要研究内容 | 第28-29页 |
| 第二章 陶瓷抛光废渣的基本性能测试与分析 | 第29-37页 |
| 2.1 实验原料及仪器 | 第29-30页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第29页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第29-30页 |
| 2.2 实验表征方法 | 第30-31页 |
| 2.2.1 化学成分分析 | 第30页 |
| 2.2.2 红外光谱分析 | 第30页 |
| 2.2.3 X 射线衍射分析 | 第30页 |
| 2.2.4 粒度分析 | 第30页 |
| 2.2.5 差热分析 | 第30-31页 |
| 2.3 实验测试结果分析 | 第31-36页 |
| 2.3.1 陶瓷抛光废渣及陶瓷砖粉化学成分 | 第31-32页 |
| 2.3.2 陶瓷抛光废渣的红外光谱 | 第32页 |
| 2.3.3 陶瓷抛光废渣的 X 射线衍射分析 | 第32-34页 |
| 2.3.4 陶瓷抛光废渣的粒径分析 | 第34页 |
| 2.3.5 陶瓷抛光废渣的热重分析 | 第34-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 陶瓷抛光废渣中 SiC 氧化温度的研究 | 第37-45页 |
| 3.1 实验部分 | 第37-39页 |
| 3.1.1 实验原料及试剂 | 第37-38页 |
| 3.1.2 实验仪器及测试设备 | 第38页 |
| 3.1.3 实验工艺 | 第38页 |
| 3.1.4 实验表征方法 | 第38-39页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第39-44页 |
| 3.2.1 原料 SiC 的基本测试 | 第39-41页 |
| 3.2.1.1 SiC 的粒径分布 | 第39-40页 |
| 3.2.1.2 SiC 的 TG-DSC 分析 | 第40页 |
| 3.2.1.3 SiC 的 XRD 图谱 | 第40-41页 |
| 3.2.2 静态坩埚法研究 SiC 的氧化行为（<650℃） | 第41-44页 |
| 3.2.2.1 SiC 未经处理在不同温度下的 XRD 分析 | 第41-42页 |
| 3.2.2.2 SiC 用 NaOH 处理后在不同温度下的 XRD 分析 | 第42-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 助熔剂对陶瓷烧成发泡程度的影响及研究 | 第45-62页 |
| 4.1 实验部分 | 第45-48页 |
| 4.1.1 实验原料 | 第45-46页 |
| 4.1.2 实验仪器及测试设备 | 第46页 |
| 4.1.3 实验工艺流程 | 第46-47页 |
| 4.1.4 实验表征方法 | 第47-48页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第48-61页 |
| 4.2.1 几种陶瓷助熔剂对 SiC 在陶瓷中烧成发泡的影响 | 第48-57页 |
| 4.2.1.1 Na_2CO_3作为助熔剂对 SiC 在陶瓷中烧成发泡的影响 | 第49-50页 |
| 4.2.1.2 K_2CO_3作为助熔剂对 SiC 在陶瓷中烧成发泡的影响 | 第50-52页 |
| 4.2.1.3 MgO 作为助熔剂对 SiC 在陶瓷中烧成发泡的影响 | 第52-53页 |
| 4.2.1.4 CaO 作为助熔剂对 SiC 在陶瓷中烧成发泡的影响 | 第53-55页 |
| 4.2.1.5 几种助熔剂对 SiC 在陶瓷中烧成发泡的影响对比 | 第55-57页 |
| 4.2.2 几种氧化物对 SiC 在陶瓷中烧成发泡的影响 | 第57-61页 |
| 4.2.2.1 Al_2O_3对 SiC 在陶瓷中烧成发泡的影响 | 第57-58页 |
| 4.2.2.2 不同粒径 SiO_2对 SiC 在陶瓷中烧成发泡的影响对比 | 第58-61页 |
| 4.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 利用陶瓷抛光废渣制备致密陶瓷的研究 | 第62-77页 |
| 5.1 实验部分 | 第62-66页 |
| 5.1.1 实验原料 | 第62-63页 |
| 5.1.2 实验仪器及测试设备 | 第63页 |
| 5.1.3 实验工艺 | 第63-64页 |
| 5.1.4 实验表征方法 | 第64-66页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第66-73页 |
| 5.2.1 配制基础配方 | 第66-68页 |
| 5.2.2 原料单因素分析 | 第68-73页 |
| 5.2.2.1 石英砂的影响 | 第68-69页 |
| 5.2.2.2 钾长石的影响 | 第69-70页 |
| 5.2.2.3 陶瓷抛光废渣的影响 | 第70-72页 |
| 5.2.2.4 球土的影响 | 第72-73页 |
| 5.3 陶瓷抛光废渣利用率的探索 | 第73-76页 |
| 5.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 结论 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-85页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
| 附件 | 第87页 |
