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ECR氢氧混合等离子体低温氧化制备SiO2薄膜的工艺研究

摘要第2-3页
Abstract第3页
1 绪论第6-13页
    1.1 SiO_2薄膜的结构第6-7页
    1.2 SiO_2薄膜的性质与应用第7-9页
        1.2.1 Si O_2薄膜的性质第7-8页
        1.2.2 SiO_2薄膜的应用第8-9页
    1.3 SiO_2/Si界面缺陷的研究第9-12页
        1.3.1 Si材料的晶体结构第9-10页
        1.3.2 Si材料的性质及应用第10-11页
        1.3.3 SiO_2/Si界面缺陷第11页
        1.3.4 SiO_2/Si界面钝化工艺第11-12页
    1.4 本论文研究目的及研究内容第12-13页
2 SiO_2薄膜的制备方法第13-19页
    2.1 SiO_2薄膜的常规制备技术第13-14页
        2.1.1 化学气相沉积法(CVD)第13页
        2.1.2 物理气相沉积法(PVD)第13-14页
        2.1.3 热氧化法第14页
    2.2 ECR等离子体氧化实验设备第14-16页
    2.3 ECR等离子体氧化制备Si基MOS工艺第16-19页
3 SiO_2薄膜的表征方法第19-30页
    3.1 SiO_2薄膜膜厚测量第19-22页
        3.1.1 台阶仪测量法第19-20页
        3.1.2 光谱椭偏仪测量法第20-22页
    3.2 Si基MOS结构的电学测试第22-29页
        3.2.1 I-V特性测试第22-23页
        3.2.2 C-V特性测试第23-29页
    3.3 SiO_2/Si的结构测试方法第29-30页
4 ECR等离子体氧化制备SiO_2工艺条件探索第30-40页
    4.1 温度对SiO_2薄膜生长速率的影响第30-32页
        4.1.1 实验过程及参数第30-31页
        4.1.2 实验结果及分析第31-32页
    4.2 O_2流量对SiO_2薄膜生长速率的影响第32-34页
        4.2.1 实验过程及参数第32-33页
        4.2.2 实验结果及分析第33-34页
    4.3 氢氧比例对SiO_2薄膜生长速率的影响第34-37页
        4.3.1 实验过程及参数第34-35页
        4.3.2 实验结果及分析第35-37页
    4.4 氧化时间与Si O_2薄膜厚度的关系第37-39页
    4.5 本章小结第39-40页
5 SiO_2薄膜电学性能研究第40-44页
    5.1 SiO_2薄膜的绝缘特性第40-42页
    5.2 SiO_2薄膜缺陷分析第42-43页
    5.3 本章小结第43-44页
结论与展望第44-45页
参考文献第45-49页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第49-50页
致谢第50-52页

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