ECR氢氧混合等离子体低温氧化制备SiO2薄膜的工艺研究
| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 1 绪论 | 第6-13页 |
| 1.1 SiO_2薄膜的结构 | 第6-7页 |
| 1.2 SiO_2薄膜的性质与应用 | 第7-9页 |
| 1.2.1 Si O_2薄膜的性质 | 第7-8页 |
| 1.2.2 SiO_2薄膜的应用 | 第8-9页 |
| 1.3 SiO_2/Si界面缺陷的研究 | 第9-12页 |
| 1.3.1 Si材料的晶体结构 | 第9-10页 |
| 1.3.2 Si材料的性质及应用 | 第10-11页 |
| 1.3.3 SiO_2/Si界面缺陷 | 第11页 |
| 1.3.4 SiO_2/Si界面钝化工艺 | 第11-12页 |
| 1.4 本论文研究目的及研究内容 | 第12-13页 |
| 2 SiO_2薄膜的制备方法 | 第13-19页 |
| 2.1 SiO_2薄膜的常规制备技术 | 第13-14页 |
| 2.1.1 化学气相沉积法（CVD） | 第13页 |
| 2.1.2 物理气相沉积法（PVD） | 第13-14页 |
| 2.1.3 热氧化法 | 第14页 |
| 2.2 ECR等离子体氧化实验设备 | 第14-16页 |
| 2.3 ECR等离子体氧化制备Si基MOS工艺 | 第16-19页 |
| 3 SiO_2薄膜的表征方法 | 第19-30页 |
| 3.1 SiO_2薄膜膜厚测量 | 第19-22页 |
| 3.1.1 台阶仪测量法 | 第19-20页 |
| 3.1.2 光谱椭偏仪测量法 | 第20-22页 |
| 3.2 Si基MOS结构的电学测试 | 第22-29页 |
| 3.2.1 I-V特性测试 | 第22-23页 |
| 3.2.2 C-V特性测试 | 第23-29页 |
| 3.3 SiO_2/Si的结构测试方法 | 第29-30页 |
| 4 ECR等离子体氧化制备SiO_2工艺条件探索 | 第30-40页 |
| 4.1 温度对SiO_2薄膜生长速率的影响 | 第30-32页 |
| 4.1.1 实验过程及参数 | 第30-31页 |
| 4.1.2 实验结果及分析 | 第31-32页 |
| 4.2 O_2流量对SiO_2薄膜生长速率的影响 | 第32-34页 |
| 4.2.1 实验过程及参数 | 第32-33页 |
| 4.2.2 实验结果及分析 | 第33-34页 |
| 4.3 氢氧比例对SiO_2薄膜生长速率的影响 | 第34-37页 |
| 4.3.1 实验过程及参数 | 第34-35页 |
| 4.3.2 实验结果及分析 | 第35-37页 |
| 4.4 氧化时间与Si O_2薄膜厚度的关系 | 第37-39页 |
| 4.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 5 SiO_2薄膜电学性能研究 | 第40-44页 |
| 5.1 SiO_2薄膜的绝缘特性 | 第40-42页 |
| 5.2 SiO_2薄膜缺陷分析 | 第42-43页 |
| 5.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 结论与展望 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-52页 |
