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高极化度电子源先进光阴极的研究

致谢第5-7页
摘要第7-9页
Abstract第9-10页
第一章 引言第13-17页
第二章 电子源及砷化镓光阴极第17-44页
    2.1电子源第17-22页
        2.1.1热发射电子源第17-18页
        2.1.2 场致发射电子源第18-20页
        2.1.3 光致发射电子源第20-22页
    2.2 光阴极特征参数第22-24页
        2.2.1 量子效率第23页
        2.2.2 光阴极寿命第23-24页
        2.2.3 电子自旋极化度第24页
    2.3 电子加速器中常用的光阴极第24-27页
        2.3.1 金属光阴极第24-25页
        2.3.2 碱金属锑化物光阴极第25-26页
        2.3.3 Ⅲ-Ⅴ族半导体光阴极第26-27页
    2.4 砷化镓特性第27-31页
        2.4.1 晶体结构第27-28页
        2.4.2 能带结构第28-31页
    2.5 光电发射过程第31-38页
        2.5.1 负电子亲和势光阴极第31-34页
        2.5.2 三步模型第34-38页
    2.6 自旋极化电子第38-44页
        2.6.1 非应变砷化镓第38-39页
        2.6.2 应变砷化镓第39-40页
        2.6.3 去极化过程第40-41页
        2.6.4 极化度测量原理第41-44页
第三章 极化光阴极的研究第44-88页
    3.1 实验设备及技术第44-59页
        3.1.1 超高真空系统第44-49页
        3.1.2 光阴极激活的准备工作第49-51页
        3.1.3 光阴极激活过程第51-55页
        3.1.4 量子效率衰减和再激活第55-56页
        3.1.5极化度测量和分析第56-59页
    3.2 离子反轰效应第59-69页
        3.2.1 实验原理第60-63页
        3.2.2 实验及装置第63-65页
        3.2.3 结果和讨论第65-69页
    3.3 极化度对相关因素的依赖性第69-86页
        3.3.1 自旋弛豫机制第70-72页
        3.3.2 电子逃逸几率的评估第72-77页
        3.3.3 实验和结果第77-85页
        3.3.4 讨论第85-86页
    3.4 小结第86-88页
第四章 高极化度光阴极的探索第88-112页
    4.1 分布式布拉格反射器应变GaAs/GaAsP光阴极第88-97页
        4.1.1应变GaAs/GaAsP超晶格结构第89-90页
        4.1.2 分布式布拉格反射器光阴极的设计第90-95页
        4.1.3 结果和讨论第95-97页
    4.2 GaAsSb/AlGaAs光阴极第97-103页
        4.2.1 应变Ga AsSb/AlGaAs超晶格结构第97-101页
        4.2.2结果和讨论第101-103页
    4.3 高能强流极化电子束的产生第103-111页
        4.3.1 CEBAF极化电子源的发展及现状第104-109页
        4.3.2 在电子枪中产生高能强流极化电子束的准备工作和实验计划第109-111页
    4.4 小结第111-112页
第五章 结论第112-114页
参考文献第114-129页
作者简历及在学期间发表的学术论文与研究成果第129-130页

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