| 致谢 | 第5-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第一章 引言 | 第13-17页 |
| 第二章 电子源及砷化镓光阴极 | 第17-44页 |
| 2.1电子源 | 第17-22页 |
| 2.1.1热发射电子源 | 第17-18页 |
| 2.1.2 场致发射电子源 | 第18-20页 |
| 2.1.3 光致发射电子源 | 第20-22页 |
| 2.2 光阴极特征参数 | 第22-24页 |
| 2.2.1 量子效率 | 第23页 |
| 2.2.2 光阴极寿命 | 第23-24页 |
| 2.2.3 电子自旋极化度 | 第24页 |
| 2.3 电子加速器中常用的光阴极 | 第24-27页 |
| 2.3.1 金属光阴极 | 第24-25页 |
| 2.3.2 碱金属锑化物光阴极 | 第25-26页 |
| 2.3.3 Ⅲ-Ⅴ族半导体光阴极 | 第26-27页 |
| 2.4 砷化镓特性 | 第27-31页 |
| 2.4.1 晶体结构 | 第27-28页 |
| 2.4.2 能带结构 | 第28-31页 |
| 2.5 光电发射过程 | 第31-38页 |
| 2.5.1 负电子亲和势光阴极 | 第31-34页 |
| 2.5.2 三步模型 | 第34-38页 |
| 2.6 自旋极化电子 | 第38-44页 |
| 2.6.1 非应变砷化镓 | 第38-39页 |
| 2.6.2 应变砷化镓 | 第39-40页 |
| 2.6.3 去极化过程 | 第40-41页 |
| 2.6.4 极化度测量原理 | 第41-44页 |
| 第三章 极化光阴极的研究 | 第44-88页 |
| 3.1 实验设备及技术 | 第44-59页 |
| 3.1.1 超高真空系统 | 第44-49页 |
| 3.1.2 光阴极激活的准备工作 | 第49-51页 |
| 3.1.3 光阴极激活过程 | 第51-55页 |
| 3.1.4 量子效率衰减和再激活 | 第55-56页 |
| 3.1.5极化度测量和分析 | 第56-59页 |
| 3.2 离子反轰效应 | 第59-69页 |
| 3.2.1 实验原理 | 第60-63页 |
| 3.2.2 实验及装置 | 第63-65页 |
| 3.2.3 结果和讨论 | 第65-69页 |
| 3.3 极化度对相关因素的依赖性 | 第69-86页 |
| 3.3.1 自旋弛豫机制 | 第70-72页 |
| 3.3.2 电子逃逸几率的评估 | 第72-77页 |
| 3.3.3 实验和结果 | 第77-85页 |
| 3.3.4 讨论 | 第85-86页 |
| 3.4 小结 | 第86-88页 |
| 第四章 高极化度光阴极的探索 | 第88-112页 |
| 4.1 分布式布拉格反射器应变GaAs/GaAsP光阴极 | 第88-97页 |
| 4.1.1应变GaAs/GaAsP超晶格结构 | 第89-90页 |
| 4.1.2 分布式布拉格反射器光阴极的设计 | 第90-95页 |
| 4.1.3 结果和讨论 | 第95-97页 |
| 4.2 GaAsSb/AlGaAs光阴极 | 第97-103页 |
| 4.2.1 应变Ga AsSb/AlGaAs超晶格结构 | 第97-101页 |
| 4.2.2结果和讨论 | 第101-103页 |
| 4.3 高能强流极化电子束的产生 | 第103-111页 |
| 4.3.1 CEBAF极化电子源的发展及现状 | 第104-109页 |
| 4.3.2 在电子枪中产生高能强流极化电子束的准备工作和实验计划 | 第109-111页 |
| 4.4 小结 | 第111-112页 |
| 第五章 结论 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-129页 |
| 作者简历及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第129-130页 |
