| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 课题研究的目的和意义 | 第11-12页 |
| 1.2 反应溅射制备Al_2O_3薄膜的研究现状和发展 | 第12-16页 |
| 1.2.1 Al_2O_3薄膜的性质与应用 | 第12-14页 |
| 1.2.2 反应溅射法制备Al_2O_3薄膜的主要问题及研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3 发射光谱在反应溅射中的应用 | 第16-18页 |
| 1.4 溅射现象和辉光放电 | 第18-19页 |
| 1.5 光谱分析和发射光谱 | 第19-23页 |
| 1.5.1 光谱分析 | 第19-20页 |
| 1.5.2 发射光谱概述 | 第20-23页 |
| 1.6 课题的研究内容 | 第23-25页 |
| 第2章 反应磁控溅射及实验设备 | 第25-31页 |
| 2.1 磁控溅射镀膜设备 | 第25-26页 |
| 2.1.1 真空抽气系统 | 第25-26页 |
| 2.1.2 溅射镀膜室 | 第26页 |
| 2.2 等离子体监测设备 | 第26-27页 |
| 2.3 薄膜性能检测设备 | 第27-31页 |
| 2.3.1 晶相检测设备 | 第27-28页 |
| 2.3.2 表面形貌和成分检测设备 | 第28-29页 |
| 2.3.3 导电特性测试设备 | 第29页 |
| 2.3.4 接触角测量仪器 | 第29-30页 |
| 2.3.5 透射率测量仪器 | 第30-31页 |
| 第3章 反应溅射发射光谱分析 | 第31-53页 |
| 3.1 实验得到的谱线分析 | 第31-37页 |
| 3.1.1 实验得到的谱线成分分析 | 第31-35页 |
| 3.1.2 不同功率下等离子体特征谱线强度变化 | 第35-36页 |
| 3.1.3 不同工作压力下等离子体特征谱线强度变化 | 第36-37页 |
| 3.2 反应溅射的迟滞现象 | 第37-50页 |
| 3.2.1 反应溅射的迟滞现象 | 第37-38页 |
| 3.2.2 迟滞效应的理论分析 | 第38-42页 |
| 3.2.3 迟滞现象研究的实验过程 | 第42页 |
| 3.2.4 发射光谱随氧气流量的变化 | 第42-47页 |
| 3.2.5 溅射功率对迟滞曲线的影响 | 第47-48页 |
| 3.2.6 工作压力对迟滞曲线的影响 | 第48-50页 |
| 3.3 本章小结 | 第50-53页 |
| 第4章 直流反应溅射沉积Al_2O_3实验 | 第53-73页 |
| 4.1 实验方法及实验过程 | 第53-57页 |
| 4.1.1 工作压力和工作气体流量的确定 | 第53-54页 |
| 4.1.2 迟滞曲线的获得及薄膜制备的工艺参数 | 第54-56页 |
| 4.1.3 薄膜制备实验流程 | 第56-57页 |
| 4.2 氧气流量对薄膜XRD物相的影响 | 第57-59页 |
| 4.3 氧气流量对薄膜表面形貌的影响 | 第59-62页 |
| 4.3.1 SEM表面形貌分析 | 第59-60页 |
| 4.3.2 EDS能谱分析 | 第60-62页 |
| 4.4 氧气流量对薄膜透光性的影响 | 第62-63页 |
| 4.5 氧气流量对薄膜导电特性的影响 | 第63-65页 |
| 4.5.1 测试方法 | 第63页 |
| 4.5.2 结果与讨论 | 第63-65页 |
| 4.6 氧气流量对薄膜亲水性的影响 | 第65-67页 |
| 4.6.1 薄膜亲水性的表征方法 | 第65-66页 |
| 4.6.2 结果与讨论 | 第66-67页 |
| 4.7 直流功率120W下制备的薄膜样品特性 | 第67-70页 |
| 4.7.1 薄膜的XRD物相 | 第67-68页 |
| 4.7.2 薄膜的表面形貌 | 第68-69页 |
| 4.7.3 薄膜的透光性 | 第69页 |
| 4.7.4 薄膜的导电特性 | 第69-70页 |
| 4.7.5 薄膜的亲水性 | 第70页 |
| 4.8 本章小结 | 第70-73页 |
| 第5章 结论和展望 | 第73-75页 |
| 5.1 主要结论 | 第73-74页 |
| 5.2 展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
