| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第16-34页 |
| 1.1 前言 | 第16-17页 |
| 1.2 信息存储材料 | 第17-19页 |
| 1.2.1 电子信息存储类型的分类 | 第17-18页 |
| 1.2.2 信息存储材料的种类 | 第18-19页 |
| 1.2.2.1 磁介质存储材料 | 第18页 |
| 1.2.2.2 光介质存储材料 | 第18-19页 |
| 1.2.2.3 半导体存储材料 | 第19页 |
| 1.3 聚合物存储材料 | 第19-32页 |
| 1.3.1 聚乙烯基咔唑类聚合物存储材料 | 第20-22页 |
| 1.3.2 聚酰亚胺类聚合物存储材料 | 第22-29页 |
| 1.3.2.1 含三苯胺结构的聚酰亚胺存储材料 | 第22-27页 |
| 1.3.2.2 含咔唑结构的聚酰亚胺存储材料 | 第27-28页 |
| 1.3.2.3 含其他结构的聚酰亚胺存储材料 | 第28-29页 |
| 1.3.3 其他类型聚合物存储材料 | 第29-32页 |
| 1.4 聚酰亚胺材料 | 第32-33页 |
| 1.5 本论文研究的主要内容 | 第33页 |
| 1.6 本文的创新之处 | 第33-34页 |
| 第二章 实验部分 | 第34-42页 |
| 2.1 实验药品及仪器 | 第34-36页 |
| 2.1.1 实验所用药品 | 第34-35页 |
| 2.1.2 实验仪器名称及其型号 | 第35-36页 |
| 2.2 异构化二胺单体的合成 | 第36-39页 |
| 2.2.1 N-(2,4-二氨基苯基)咔唑(2,4-DAPCz)的合成 | 第36-37页 |
| 2.2.2 N-(4-氨基苯基)-3-氨基咔唑(3,4-DAPCz)的合成 | 第37-38页 |
| 2.2.3 N-苯基-3,6-二氨基咔唑(3,6-DAPCz)的合成 | 第38-39页 |
| 2.3 异构化聚酰亚胺的合成 | 第39页 |
| 2.4 异构化聚酰亚胺的表征方法 | 第39-42页 |
| 2.4.1 聚合物分子量测试 | 第39-40页 |
| 2.4.2 聚合物热稳定性分析 | 第40页 |
| 2.4.3 聚合物光学性能测试 | 第40页 |
| 2.4.4 聚合物电化学性能测试 | 第40页 |
| 2.4.5 聚合物存储行为测试 | 第40页 |
| 2.4.6 聚合物分子模拟 | 第40-42页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第42-78页 |
| 3.1 异构化二胺单体的表征 | 第42-49页 |
| 3.1.1 N-(2,4-二氨基苯基)咔唑(2,4-DAPCz)的表征 | 第42-44页 |
| 3.1.2 N-(4-氨基苯基)-3-氨基咔唑(3,4-DAPCz)的表征 | 第44-47页 |
| 3.1.3 N-苯基-3,6-二氨基咔唑(3,6-DAPCz)的表征 | 第47-49页 |
| 3.2 异构化聚酰亚胺的结构表征 | 第49-52页 |
| 3.2.1 PI-2,4-DAPCz-6FDA的结构分析 | 第49-50页 |
| 3.2.2 PI-3,4-DAPCz-6FDA的结构分析 | 第50-51页 |
| 3.2.3 PI-3,6-DAPCz-6FDA的结构分析 | 第51-52页 |
| 3.3 异构化聚酰亚胺的热稳定性表征 | 第52-53页 |
| 3.4 异构化聚酰亚胺的的光学性能表征 | 第53-55页 |
| 3.5 异构化聚酰亚胺的的电化学性能表征 | 第55-57页 |
| 3.6 异构化聚酰亚胺的半导体参数测试 | 第57-63页 |
| 3.6.1 PI-2,4-DAPCz-6FDA的Ⅰ-Ⅴ测试 | 第57-59页 |
| 3.6.2 PI-3,4-DAPCz-6FDA的Ⅰ-Ⅴ测试 | 第59-61页 |
| 3.6.3 PI-3,6-DAPCz-6FDA的Ⅰ-Ⅴ测试 | 第61-63页 |
| 3.7 异构化聚酰亚胺的存储机理的研究 | 第63-78页 |
| 3.7.1 PI-2,4-DAPCz-6FDA的存储机理研究 | 第63-67页 |
| 3.7.2 PI-3,4-DAPCz-6FDA的存储机理研究 | 第67-71页 |
| 3.7.3 PI-3,6-DAPCz-6FDA的存储机理研究 | 第71-75页 |
| 3.7.4 异构化聚酰亚胺不同存储类型的原理分析 | 第75-78页 |
| 第四章 结论 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第86-88页 |
| 导师及作者简介 | 第88-89页 |
| 附件 | 第89-90页 |
