| 学位论文数据集 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-33页 |
| 1.1 前言 | 第13-14页 |
| 1.2 不同材料所表现的存储行为分类 | 第14-15页 |
| 1.3 聚合物存储原理 | 第15-18页 |
| 1.3.1 聚合物存储的双稳态特性 | 第15-16页 |
| 1.3.2 聚合物导电性的转变 | 第16-18页 |
| 1.4 聚合物存储的导电机理 | 第18-25页 |
| 1.4.1 细丝传导理论(Filamentary conduction mechanisms) | 第18页 |
| 1.4.2 空间限制电荷传输理论(SCLC) | 第18-20页 |
| 1.4.3 电荷转移理论(CT,Charge Transfer) | 第20-21页 |
| 1.4.4 隧穿(场致)发射理论(Tunnel or field emission) | 第21-25页 |
| 1.5 分子模拟的应用 | 第25-30页 |
| 1.5.1 分子模拟的发展 | 第25页 |
| 1.5.2 分子模拟的理论基础 | 第25-28页 |
| 1.5.3 分子模拟的研究内容 | 第28-30页 |
| 1.5.4 分子模拟在存储材料中的应用 | 第30页 |
| 1.6 课题意义与创新内容 | 第30-33页 |
| 第二章 实验部分 | 第33-39页 |
| 2.1 实验仪器及原料 | 第33-34页 |
| 2.1.1 实验所采用的试剂及原料 | 第33页 |
| 2.1.2 实验所采用仪器 | 第33-34页 |
| 2.2 实验合成 | 第34-35页 |
| 2.3 聚萘酰亚胺性能的表征 | 第35-39页 |
| 2.3.1 紫外可见光谱(UV/Vis)测试 | 第35-36页 |
| 2.3.2 循环伏安法(CV)测试 | 第36页 |
| 2.3.3 半导体参数分析(Ⅰ-Ⅴ图)测试 | 第36-37页 |
| 2.3.4 分子模拟 | 第37-39页 |
| 第三章 实验结果与讨论 | 第39-69页 |
| 3.1 聚萘酰亚胺的合成与结构的表征 | 第39-41页 |
| 3.1.1 不同含量聚萘酰亚胺的结构和组成表征 | 第39-40页 |
| 3.1.2 不同含量聚萘酰亚胺的溶解性 | 第40-41页 |
| 3.2 共聚型聚萘酰亚胺的热稳定性 | 第41-42页 |
| 3.3 共聚型聚萘酰亚胺的循环伏安测试以及紫外测试 | 第42-48页 |
| 3.4 金属/聚萘酰亚胺/ITO器件的Ⅰ-Ⅴ测试 | 第48-55页 |
| 3.4.1 共聚型Au/PNI/ITO器件的Ⅰ-Ⅴ测试 | 第48-51页 |
| 3.4.2 共聚型Al/PNI/ITO器件的Ⅰ-Ⅴ测试 | 第51-55页 |
| 3.5 聚萘酰亚胺的分子模拟 | 第55-59页 |
| 3.6 聚萘酰亚胺的存储性能分析 | 第59-69页 |
| 3.6.1 Au/PNI/ITO器件的存储性能分析 | 第61-64页 |
| 3.6.2 Al/PNI/ITO器件的存储性能分析 | 第64-69页 |
| 第四章 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第77-79页 |
| 作者和导师简介 | 第79-80页 |
| 附件 | 第80-81页 |
