| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第14-52页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 CZTS基薄膜材料的基本性质 | 第15-22页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第15-17页 |
| 1.2.2 光学性质 | 第17-18页 |
| 1.2.3 元素组成及缺陷分析 | 第18-20页 |
| 1.2.4 CZTS基薄膜材料的主要表征手段 | 第20-22页 |
| 1.3 CZTS基太阳能电池结构及原理 | 第22-27页 |
| 1.3.1 常用的CZTS基薄膜太阳能电池结构 | 第22-24页 |
| 1.3.2 CZTS基薄膜太阳能电池原理 | 第24-25页 |
| 1.3.3 表征太阳能电池的基本参数 | 第25-27页 |
| 1.4 CZTS基电池的主要制备方法 | 第27-32页 |
| 1.4.1 蒸发法 | 第27-29页 |
| 1.4.2 溅射法 | 第29页 |
| 1.4.3 电沉积法 | 第29-30页 |
| 1.4.4 溶液法 | 第30-32页 |
| 1.5 CZTS基电池目前存在的问题 | 第32-39页 |
| 1.5.1 CZTS基材料本身性质的问题 | 第33-34页 |
| 1.5.2 CZTS基吸收层晶体质量问题 | 第34-36页 |
| 1.5.3 CZTS基电池结构问题 | 第36-39页 |
| 1.6 本论文的研究思路和主要研究内容 | 第39-42页 |
| 参考文献 | 第42-52页 |
| 第二章 快速热处理气氛中S/Se元素比例对溅射四元靶材制备CZTSSe薄膜的影响 | 第52-74页 |
| 2.1 引言 | 第52-53页 |
| 2.2 实验过程 | 第53-55页 |
| 2.2.1 磁控溅射制备CZTS前驱体薄膜 | 第53-54页 |
| 2.2.2 快速热处理制备CZTSSe薄膜 | 第54页 |
| 2.2.3 CZTSSe薄膜太阳能电池器件的制备 | 第54页 |
| 2.2.4 薄膜材料和光伏器件的表征 | 第54-55页 |
| 2.3 结果分析与讨论 | 第55-65页 |
| 2.3.1 CZTS靶材和前躯体薄膜的结构表征 | 第55-56页 |
| 2.3.2 样品的元素含量分析 | 第56-58页 |
| 2.3.3 CZTSSe薄膜结构和微观形貌分析 | 第58-61页 |
| 2.3.4 CZTSSe薄膜的光学性能 | 第61-62页 |
| 2.3.5 CZTSSe薄膜的电学性质 | 第62-63页 |
| 2.3.6 电池器件效率分析 | 第63-65页 |
| 2.4 本章小结 | 第65-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 第三章 聚合物添加剂对溶液法制备CZTSSe薄膜形貌及电池器件性能的影响 | 第74-88页 |
| 3.1 引言 | 第74-75页 |
| 3.2 实验方法 | 第75-77页 |
| 3.2.1 实验原料 | 第75页 |
| 3.2.2 CZTS分子前躯体溶液的配制 | 第75-76页 |
| 3.2.3 CZTS前躯体薄膜的制备以及硒化处理 | 第76页 |
| 3.2.4 CZTSSe太阳能电池的制备 | 第76-77页 |
| 3.3 结果与分析 | 第77-83页 |
| 3.3.1 CZTSSe薄膜的元素含量分析 | 第77-78页 |
| 3.3.2 PVP添加剂对CZTSSe薄膜晶体结构的影响 | 第78-79页 |
| 3.3.3 PVP添加剂对CZTSSe薄膜形貌的影响 | 第79-80页 |
| 3.3.4 PVP添加剂对CZTSSe太阳能电池性能的影响 | 第80-83页 |
| 3.4 本章小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 第四章 Cu_2ZnSn S_4/ZnO异质结界面能带偏移研究 | 第88-102页 |
| 4.1 引言 | 第88-89页 |
| 4.2 实验过程和第一性原理计算细节 | 第89-91页 |
| 4.2.1 实验样品的制备 | 第89-90页 |
| 4.2.2 异质结能带偏移的计算方法 | 第90页 |
| 4.2.3 第一性原理计算细节 | 第90-91页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第91-97页 |
| 4.3.1 实验结果 | 第91-94页 |
| 4.3.2 第一性原理计算结果 | 第94-96页 |
| 4.3.3 讨论 | 第96-97页 |
| 4.4 本章小结 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-102页 |
| 第五章 偏压调控p-Cu_2ZnSnS_4/n-Ga N异质结光电二极管光谱响应特性 | 第102-116页 |
| 5.1 引言 | 第102-103页 |
| 5.2 实验部分 | 第103-104页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第104-110页 |
| 5.3.1 p-CZTS/n-GaN异质结晶体结构 | 第104-105页 |
| 5.3.2 p-CZTS/n-GaN异质结的I-V特性 | 第105-107页 |
| 5.3.3 p-CZTS/n-GaN异质结的光学性质与光响应特性 | 第107-108页 |
| 5.3.4 异质结探测器光响应特性的工作原理 | 第108-110页 |
| 5.4 本章小结 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-116页 |
| 第六章 溶胶-凝胶法制备新型Cu_2Mg SnS_4吸收层薄膜 | 第116-130页 |
| 6.1 引言 | 第116-117页 |
| 6.2 实验部分 | 第117-119页 |
| 6.2.1 实验原料 | 第117页 |
| 6.2.2 溶胶凝胶旋涂法制备CMTS薄膜 | 第117-118页 |
| 6.2.3 CMTS前躯体薄膜的硫化处理 | 第118页 |
| 6.2.4 CMTS薄膜样品的表征 | 第118-119页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第119-125页 |
| 6.3.1 CMTS薄膜元素含量及表面形貌 | 第119-121页 |
| 6.3.2 X射线光电子能谱分析 | 第121-122页 |
| 6.3.3 CMTS薄膜的晶体结构特征 | 第122-124页 |
| 6.3.4 CMTS薄膜的光电性质 | 第124-125页 |
| 6.4 本章小结 | 第125-126页 |
| 参考文献 | 第126-130页 |
| 第七章 结论与展望 | 第130-134页 |
| 7.1 结论 | 第130-132页 |
| 7.2 展望 | 第132-134页 |
| 作者简历 | 第134-136页 |
| 在学期间取得的科研成果 | 第136-138页 |
| 致谢 | 第138-139页 |
