摘要 | 第7-9页 |
Abstract | 第9-10页 |
第1章 绪论 | 第11-27页 |
1.1 光电化学水分解背景介绍 | 第11-13页 |
1.2 光电化学水分解原理介绍 | 第13-17页 |
1.2.1 光电化学水分解基本原理 | 第13页 |
1.2.2 光电化学水分解基本过程 | 第13-15页 |
1.2.3 光电化学水分解存在的问题 | 第15-16页 |
1.2.4 光电化学水分解电极类型 | 第16-17页 |
1.3 提高光电化学水分解性能途径 | 第17-21页 |
1.3.1 半导体光阳极组份优化 | 第18-21页 |
1.3.2 半导体光阳极形貌结构优化 | 第21页 |
1.4 WO_3光电极材料研究进展 | 第21-24页 |
1.4.1 WO_3基本性质 | 第22页 |
1.4.2 WO_3光阳极的制备方法 | 第22-23页 |
1.4.3 提高WO_3光电极性能的方法 | 第23-24页 |
1.5 本论文研究思路与内容 | 第24-27页 |
第2章 实验方法 | 第27-35页 |
2.1 化学药品 | 第27页 |
2.2 实验设备 | 第27-28页 |
2.3 材料合成方法 | 第28-30页 |
2.3.1 水热法 | 第28页 |
2.3.2 旋涂法 | 第28-29页 |
2.3.3 连续离子层吸附与反应沉积法 | 第29-30页 |
2.4 材料结构表征 | 第30-31页 |
2.4.1 场发射扫描电子显微镜 | 第30页 |
2.4.2 能量色散谱仪测试 | 第30页 |
2.4.3 场发射透射电子显微镜 | 第30-31页 |
2.4.4 X射线衍射分析 | 第31页 |
2.4.5 紫外-可见光谱分析 | 第31页 |
2.4.6 X射线光电子能谱法 | 第31页 |
2.5 光电化学性能测试 | 第31-35页 |
2.5.1 线性扫描伏安法和光电化学转换效率 | 第32页 |
2.5.2 瞬态电流测试 | 第32-33页 |
2.5.3 电化学交流阻抗谱 | 第33页 |
2.5.4 光电转换效率 | 第33-35页 |
第3章 BiVO_4/Bi_2S_3修饰WO_3光电极的制备及其光电化学水分解行为研究 | 第35-45页 |
3.1 引言 | 第35页 |
3.2 WO_3/BiVO_4 /Bi_2S_3光电极制备 | 第35-36页 |
3.2.1 垂直阵列WO_3纳米片薄膜制备 | 第35-36页 |
3.2.2 WO_3/BiVO_4光电极的制备 | 第36页 |
3.2.3 BiVO_4/Bi_2S_3和WO_3/BiVO_4/Bi_2S_3光电极的制备 | 第36页 |
3.3 结果与讨论 | 第36-43页 |
3.3.1 WO_3和WO_3/BiVO_4 /Bi_2S_3的形貌分析 | 第36-37页 |
3.3.2 WO_3和WO_3/ BiVO_4 /Bi_2S_3的成份分析 | 第37-38页 |
3.3.3 WO_3和WO_3/BiVO_4/Bi_2S_3的TEM分析 | 第38页 |
3.3.4 WO_3/BiVO_4 /Bi_2S_3异质结的晶体结构分析 | 第38-39页 |
3.3.5 WO_3和WO_3/BiVO_4/Bi_2S_3的表面分析 | 第39-40页 |
3.3.6 WO_3, BiVO_4/Bi_2S_3和WO_3/BiVO_4/Bi_2S_3的光吸收性质 | 第40-41页 |
3.3.7 WO_3,BiVO_4 /Bi_2S_3和WO_3/BiVO_4 /Bi_2S_3的电化学阻抗分析 | 第41页 |
3.3.8 WO_3, BiVO_4 /Bi_2S_3和WO_3/BiVO_4/Bi_2S_3的I-T曲线分析 | 第41-42页 |
3.3.9 WO_3, BiVO_4/Bi_2S_3和WO_3/BiVO_4/Bi_2S_3电极光电化学性能 | 第42-43页 |
3.3.10 WO_3, BiVO_4 /Bi_2S_3和WO_3/BiVO_4 /Bi_2S_3的IPCE分析 | 第43页 |
3.4 WO_3/BiVO_4/Bi_2S_3光电极中电子传输机理 | 第43-44页 |
3.5 本章小结 | 第44-45页 |
第4章 WO_3/In_2S_3异质结的制备及其光电化学行为研究 | 第45-55页 |
4.1 引言 | 第45页 |
4.2 实验部分 | 第45-46页 |
4.2.1 垂直阵列WO_3薄膜制备 | 第45页 |
4.2.2 WO_3/In_2S_3光电极制备 | 第45-46页 |
4.3 结果与讨论 | 第46-52页 |
4.3.1 WO_3和WO_3/In_2S_3电极形貌分析 | 第46页 |
4.3.2 WO_3和WO_3/In_2S_3电极成份分析 | 第46-47页 |
4.3.3 WO_3和WO_3/BiVO_4/Bi_2S_3的TEM分析 | 第47-48页 |
4.3.4 WO_3和WO_3/In_2S_3的晶体结构分析 | 第48页 |
4.3.5 WO_3和WO_3/In_2S_3的表面分析 | 第48-49页 |
4.3.6 WO_3和WO_3/In_2S_3的光吸收性质 | 第49-50页 |
4.3.7 WO_3和WO_3/In_2S_3电极电化学交流阻抗分析 | 第50页 |
4.3.8 WO_3和WO_3/In_2S_3的I-T曲线分析 | 第50-51页 |
4.3.9 WO_3和WO_3/In_2S_3电极光电化学性能 | 第51-52页 |
4.3.10 WO_3和WO_3/In_2S_3电极量子效率 | 第52页 |
4.4 WO_3/In_2S_3光电极中电子传输机理 | 第52-53页 |
4.5 本章小结 | 第53-55页 |
第5章 本论文结论与展望 | 第55-57页 |
5.1 本论文结论 | 第55-56页 |
5.2 研究展望 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-73页 |
发表论文与科研成果 | 第73-75页 |
致谢 | 第75页 |