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基于三氧化钨的异质结制备及其光电化学水分解行为研究

摘要第7-9页
Abstract第9-10页
第1章 绪论第11-27页
    1.1 光电化学水分解背景介绍第11-13页
    1.2 光电化学水分解原理介绍第13-17页
        1.2.1 光电化学水分解基本原理第13页
        1.2.2 光电化学水分解基本过程第13-15页
        1.2.3 光电化学水分解存在的问题第15-16页
        1.2.4 光电化学水分解电极类型第16-17页
    1.3 提高光电化学水分解性能途径第17-21页
        1.3.1 半导体光阳极组份优化第18-21页
        1.3.2 半导体光阳极形貌结构优化第21页
    1.4 WO_3光电极材料研究进展第21-24页
        1.4.1 WO_3基本性质第22页
        1.4.2 WO_3光阳极的制备方法第22-23页
        1.4.3 提高WO_3光电极性能的方法第23-24页
    1.5 本论文研究思路与内容第24-27页
第2章 实验方法第27-35页
    2.1 化学药品第27页
    2.2 实验设备第27-28页
    2.3 材料合成方法第28-30页
        2.3.1 水热法第28页
        2.3.2 旋涂法第28-29页
        2.3.3 连续离子层吸附与反应沉积法第29-30页
    2.4 材料结构表征第30-31页
        2.4.1 场发射扫描电子显微镜第30页
        2.4.2 能量色散谱仪测试第30页
        2.4.3 场发射透射电子显微镜第30-31页
        2.4.4 X射线衍射分析第31页
        2.4.5 紫外-可见光谱分析第31页
        2.4.6 X射线光电子能谱法第31页
    2.5 光电化学性能测试第31-35页
        2.5.1 线性扫描伏安法和光电化学转换效率第32页
        2.5.2 瞬态电流测试第32-33页
        2.5.3 电化学交流阻抗谱第33页
        2.5.4 光电转换效率第33-35页
第3章 BiVO_4/Bi_2S_3修饰WO_3光电极的制备及其光电化学水分解行为研究第35-45页
    3.1 引言第35页
    3.2 WO_3/BiVO_4 /Bi_2S_3光电极制备第35-36页
        3.2.1 垂直阵列WO_3纳米片薄膜制备第35-36页
        3.2.2 WO_3/BiVO_4光电极的制备第36页
        3.2.3 BiVO_4/Bi_2S_3和WO_3/BiVO_4/Bi_2S_3光电极的制备第36页
    3.3 结果与讨论第36-43页
        3.3.1 WO_3和WO_3/BiVO_4 /Bi_2S_3的形貌分析第36-37页
        3.3.2 WO_3和WO_3/ BiVO_4 /Bi_2S_3的成份分析第37-38页
        3.3.3 WO_3和WO_3/BiVO_4/Bi_2S_3的TEM分析第38页
        3.3.4 WO_3/BiVO_4 /Bi_2S_3异质结的晶体结构分析第38-39页
        3.3.5 WO_3和WO_3/BiVO_4/Bi_2S_3的表面分析第39-40页
        3.3.6 WO_3, BiVO_4/Bi_2S_3和WO_3/BiVO_4/Bi_2S_3的光吸收性质第40-41页
        3.3.7 WO_3,BiVO_4 /Bi_2S_3和WO_3/BiVO_4 /Bi_2S_3的电化学阻抗分析第41页
        3.3.8 WO_3, BiVO_4 /Bi_2S_3和WO_3/BiVO_4/Bi_2S_3的I-T曲线分析第41-42页
        3.3.9 WO_3, BiVO_4/Bi_2S_3和WO_3/BiVO_4/Bi_2S_3电极光电化学性能第42-43页
        3.3.10 WO_3, BiVO_4 /Bi_2S_3和WO_3/BiVO_4 /Bi_2S_3的IPCE分析第43页
    3.4 WO_3/BiVO_4/Bi_2S_3光电极中电子传输机理第43-44页
    3.5 本章小结第44-45页
第4章 WO_3/In_2S_3异质结的制备及其光电化学行为研究第45-55页
    4.1 引言第45页
    4.2 实验部分第45-46页
        4.2.1 垂直阵列WO_3薄膜制备第45页
        4.2.2 WO_3/In_2S_3光电极制备第45-46页
    4.3 结果与讨论第46-52页
        4.3.1 WO_3和WO_3/In_2S_3电极形貌分析第46页
        4.3.2 WO_3和WO_3/In_2S_3电极成份分析第46-47页
        4.3.3 WO_3和WO_3/BiVO_4/Bi_2S_3的TEM分析第47-48页
        4.3.4 WO_3和WO_3/In_2S_3的晶体结构分析第48页
        4.3.5 WO_3和WO_3/In_2S_3的表面分析第48-49页
        4.3.6 WO_3和WO_3/In_2S_3的光吸收性质第49-50页
        4.3.7 WO_3和WO_3/In_2S_3电极电化学交流阻抗分析第50页
        4.3.8 WO_3和WO_3/In_2S_3的I-T曲线分析第50-51页
        4.3.9 WO_3和WO_3/In_2S_3电极光电化学性能第51-52页
        4.3.10 WO_3和WO_3/In_2S_3电极量子效率第52页
    4.4 WO_3/In_2S_3光电极中电子传输机理第52-53页
    4.5 本章小结第53-55页
第5章 本论文结论与展望第55-57页
    5.1 本论文结论第55-56页
    5.2 研究展望第56-57页
参考文献第57-73页
发表论文与科研成果第73-75页
致谢第75页

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