| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 溶胶凝胶法 | 第11-12页 |
| 1.3 MOSFET和TFT工作原理简介 | 第12-15页 |
| 1.3.1 MOSFET工作原理简介 | 第12-13页 |
| 1.3.2 TFT工作原理简介 | 第13-15页 |
| 1.4 本论文研究内容与意义 | 第15-16页 |
| 第二章 薄膜制备仪器和分析测试仪器 | 第16-26页 |
| 2.1 衬底清洗系统 | 第16-17页 |
| 2.1.1 超声波清洗器 | 第16页 |
| 2.1.2 等离子体清洗机 | 第16-17页 |
| 2.2 薄膜制备系统 | 第17-20页 |
| 2.2.1 匀胶机 | 第17-18页 |
| 2.2.2 射频磁控溅射和热蒸发系统 | 第18-19页 |
| 2.2.3 退火炉 | 第19-20页 |
| 2.3 薄膜分析测试仪器 | 第20-26页 |
| 2.3.1 椭偏仪(SE) | 第20-21页 |
| 2.3.2 紫外-可见分光光度计(UV-Vis) | 第21-22页 |
| 2.3.3 X射线衍射仪(XRD) | 第22-23页 |
| 2.3.4 扫描电镜(SEM) | 第23-24页 |
| 2.3.5 电学测试仪器 | 第24-26页 |
| 第三章 退火温度对HfO_2薄膜结构、光学和电学性能影响 | 第26-41页 |
| 3.1 HfO_2薄膜的制备 | 第26-29页 |
| 3.1.1 Si衬底和石英片的清洗 | 第26-27页 |
| 3.1.2 前驱体溶液的制备 | 第27-28页 |
| 3.1.3 HfO_2薄膜的制备及其器件构筑 | 第28-29页 |
| 3.2 HfO_2薄膜结构、光学性能和电学性能研究 | 第29-40页 |
| 3.2.1 HfO_2薄膜微结构分析 | 第29-30页 |
| 3.2.2 HfO_2薄膜光学性能研究 | 第30-32页 |
| 3.2.3 HfO_2薄膜电学性能研究 | 第32-36页 |
| 3.2.4 HfO_2薄膜漏电流产生机制分析 | 第36-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 烘烤温度对HfTiO_x薄膜结构、光学和电学性能影响 | 第41-55页 |
| 4.1 HfTiO_x薄膜制备 | 第41-43页 |
| 4.1.1 HfTiO_x溶液制备 | 第41页 |
| 4.1.2 HfTiO_x薄膜制备 | 第41-42页 |
| 4.1.3 HfTiO_x/n-Si MOS器件制备 | 第42-43页 |
| 4.2 HfTiO_x薄膜的成分、光学性能和电学性能分析 | 第43-54页 |
| 4.2.1 HfTiO_x薄膜EDS测试分析 | 第43-44页 |
| 4.2.2 HfTiO_x薄膜光学性能分析 | 第44-46页 |
| 4.2.3 HfTiO_x薄膜电学性能分析 | 第46-50页 |
| 4.2.4 HfiO_x薄膜漏电流机制分析 | 第50-54页 |
| 4.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 Al掺杂对HfO_2薄膜结构、光学和电学性能影响 | 第55-66页 |
| 5.1 HfAlO_x薄膜制备 | 第55-57页 |
| 5.1.1 HfAlO_x溶液制备 | 第55页 |
| 5.1.2 HfAlO_x薄膜制备 | 第55-57页 |
| 5.1.3 HfAlO_x栅介质MOS器件构筑 | 第57页 |
| 5.2 不同退火温度下HfAlO_x薄膜光学性能和电学性能分析 | 第57-65页 |
| 5.2.1 HfAlO_x薄膜的光学性能分析 | 第57-59页 |
| 5.2.2 HfAlO_x薄膜的电学性能分析 | 第59-62页 |
| 5.2.3 HfAlO_x薄膜的漏电流机制分析 | 第62-65页 |
| 5.3 本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 InZnO/HfAlO_x薄膜晶体管性能研究 | 第66-79页 |
| 6.1 不同退火温度处理HfAlO_x薄膜对薄膜晶体管性能影响 | 第66-73页 |
| 6.1.1 InZnO/HfAlO_x薄膜晶体管制备 | 第66-68页 |
| 6.1.1.1 HfAlO_x和InZnO溶液制备 | 第66-67页 |
| 6.1.1.2 InZnO/HfAlO_x薄膜晶体管制备 | 第67-68页 |
| 6.1.2 InZnO/HfAlO_x薄膜晶体管电学性能分析 | 第68-73页 |
| 6.1.2.1 HfAlO_x薄膜电学分析 | 第68-69页 |
| 6.1.2.2 InZnO/HflO_x薄膜晶体管性能分析 | 第69-73页 |
| 6.2 不同绝缘层厚度对薄膜晶体管性能影响 | 第73-78页 |
| 6.2.1 InZnO/HfAlO_x薄膜晶体管制备 | 第73-74页 |
| 6.2.2 薄膜晶体管电学性能分析 | 第74-78页 |
| 6.2.2.1 HfAlO_x薄膜电学分析 | 第74-75页 |
| 6.2.2.2 不同绝缘层厚度的薄膜晶体管性能研究 | 第75-78页 |
| 6.3 本章小结 | 第78-79页 |
| 第七章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-89页 |
| 附录：硕士期间发表的论文 | 第89-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
