| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 半导体存储器的分类 | 第10-13页 |
| 1.2 相变存储器 | 第13-18页 |
| 1.2.1 相变存储器结构及存储机理 | 第14-16页 |
| 1.2.2 相变存储材料 | 第16-17页 |
| 1.2.3 相变存储器发展背景及研究现状 | 第17-18页 |
| 1.3 本文的研究意义及主要内容 | 第18-20页 |
| 第二章 第一性原理及计算软件介绍 | 第20-25页 |
| 2.1 基于密度泛函理论的第一性原理 | 第20-23页 |
| 2.1.1 多粒子体系的薛定谔方程 | 第20-22页 |
| 2.1.2 薛定谔方程的简化近似 | 第22-23页 |
| 2.2 VASP(Vienna Ab-initio SimulationPackage)软件 | 第23-24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 GST中Si掺杂效应的研究 | 第25-37页 |
| 3.1 半导体材料中的缺陷 | 第25-27页 |
| 3.1.1 缺陷的类型 | 第25-26页 |
| 3.1.2 形成能 | 第26-27页 |
| 3.2 GST中Si元素的掺杂效应 | 第27-36页 |
| 3.2.1 掺杂前后GST的能带结构 | 第28-30页 |
| 3.2.2 不同Si掺杂浓度的GST电子结构分析 | 第30-32页 |
| 3.2.3 不同Si掺杂位置的GST电子结构分析 | 第32-33页 |
| 3.2.4 掺杂前后GST体系的差分电荷密度 | 第33-34页 |
| 3.2.5 分波态密度 | 第34-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 GST中Ge空位效应的研究 | 第37-48页 |
| 4.1 三种空位形式的比较 | 第37-38页 |
| 4.2 GST中的空位缺陷效应 | 第38-46页 |
| 4.2.1 空位前后GST的能带结构 | 第38-40页 |
| 4.2.2 不同Ge空位浓度的GST电子结构分析 | 第40-42页 |
| 4.2.3 不同Ge空位位置的GST电子结构分析 | 第42-43页 |
| 4.2.4 空位前后GST体系的差分电荷密度 | 第43-45页 |
| 4.2.5 分波态密度 | 第45-46页 |
| 4.3 本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 总结与展望 | 第48-51页 |
| 5.1 工作总结 | 第48-49页 |
| 5.2 工作展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 附图 | 第57-58页 |
| 附表 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第60页 |