高散射截面样品的中子照相定量分析技术研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 中子照相技术概述 | 第9-11页 |
| 1.1.1 中子照相技术产生与发展 | 第9页 |
| 1.1.2 中子照相技术的优势 | 第9-10页 |
| 1.1.3 中子照相技术的主要应用 | 第10-11页 |
| 1.2 本文研究目的与意义 | 第11-12页 |
| 1.3 高散射样品定量分析的国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.4 本文主要研究工作与创新点 | 第14-17页 |
| 1.4.1 主要研究工作 | 第14-15页 |
| 1.4.2 本文创新点 | 第15-17页 |
| 2 中子照相原理与定量分析方法 | 第17-21页 |
| 2.1 中子照相基本原理 | 第17页 |
| 2.2 中子照相的装置 | 第17-19页 |
| 2.3 中子照相的定量分析方法 | 第19-20页 |
| 2.4 本章小结 | 第20-21页 |
| 3 中子照相定量分析影响因素研究 | 第21-29页 |
| 3.1 中子照相的MCNP蒙特卡罗模拟 | 第21-22页 |
| 3.2 中子照相定量分析影响因素分析 | 第22-27页 |
| 3.2.1 准直比的影响 | 第22-23页 |
| 3.2.2 散射中子的影响 | 第23-25页 |
| 3.2.3 中子能谱的影响 | 第25-27页 |
| 3.3 本章小结 | 第27-29页 |
| 4 中子照相能谱影响校正 | 第29-37页 |
| 4.1 有效中子截面 | 第29-30页 |
| 4.1.1 有效中子截面的定义 | 第29页 |
| 4.1.2 有效中子截面理论通式的推导 | 第29-30页 |
| 4.2 有效截面刻度曲线法 | 第30-32页 |
| 4.2.1 有效中子截面的蒙卡计算 | 第30-31页 |
| 4.2.2 有效中子截面刻度曲线 | 第31页 |
| 4.2.3 能谱效应校正方法 | 第31-32页 |
| 4.3 能谱校正结果与讨论 | 第32-34页 |
| 4.3.1 能谱校正结果 | 第32-34页 |
| 4.3.2 刻度曲线法的适用范围 | 第34页 |
| 4.4 本章小结 | 第34-37页 |
| 5 散射校正原理与点散射函数性质研究 | 第37-55页 |
| 5.1 基于点散射函数的散射中子校正原理 | 第37-40页 |
| 5.1.1 中子信号传输分析 | 第37-39页 |
| 5.1.2 基于点散射函数的散射中子校正方法 | 第39-40页 |
| 5.2 点散射函数的理论通式推导 | 第40-42页 |
| 5.3 简化点散射函数 | 第42-44页 |
| 5.4 点散射函数的蒙特卡罗模拟 | 第44-46页 |
| 5.4.1 点散射蒙卡计算模型 | 第44-45页 |
| 5.4.2 点散射函数蒙特卡罗计算结果 | 第45-46页 |
| 5.5 简化点散射的验证 | 第46-48页 |
| 5.6 等效散射强度SA影响因素研究及其参数化 | 第48-50页 |
| 5.6.1 样品探测器距离对SA的影响 | 第48页 |
| 5.6.2 样品厚度对SA的影响 | 第48-49页 |
| 5.6.3 等效散射强度SA的参数化 | 第49-50页 |
| 5.7 等效距离DA影响因素研究及其参数化 | 第50-52页 |
| 5.7.1 样品探测器距离对DA的影响 | 第50-51页 |
| 5.7.2 等效距离DA的参数化 | 第51-52页 |
| 5.8 任意条件下点散射函数的获取 | 第52-53页 |
| 5.9 本章小结 | 第53-55页 |
| 6 高散射样品中子照相定量分析算法 | 第55-63页 |
| 6.1 高散射样品定量分析迭代算法 | 第55-56页 |
| 6.2 中子照相定量分析迭代算法验证 | 第56-57页 |
| 6.3 结果分析与讨论 | 第57-62页 |
| 6.3.1 样品种类与几何参数 | 第57-58页 |
| 6.3.2 实验结果分析与讨论 | 第58-62页 |
| 6.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 7 总结与展望 | 第63-65页 |
| 7.1 全文总结 | 第63页 |
| 7.2 不足与展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
