摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-31页 |
1.1 引言 | 第11-13页 |
1.2 LED微阵列的研究背景 | 第13-15页 |
1.3 LED微阵列器件的国内外研究现状 | 第15-29页 |
1.3.1 平面型LED微阵列器件的研究及进展 | 第15-23页 |
1.3.2 柔性LED微阵列器件的研究与发展 | 第23-29页 |
1.4 论文的主要研究内容和论文结构安排 | 第29-31页 |
1.4.1 论文工作的主要研究内容 | 第29-30页 |
1.4.2 论文的结构安排 | 第30-31页 |
第2章 AlGaInP-LED的基本理论 | 第31-47页 |
2.1 LED的基本工作过程 | 第31-33页 |
2.2 LED的复合过程与速率方程 | 第33-36页 |
2.3 LED的结特性 | 第36-38页 |
2.4 金属半导体的欧姆接触 | 第38-40页 |
2.5 LED的效率 | 第40-43页 |
2.6 LED的热效应 | 第43-44页 |
2.7 AlGaInP-LED | 第44-45页 |
2.8 小结 | 第45-47页 |
第3章 AlGaInP-LED微阵列器件的理论分析与结构设计 | 第47-75页 |
3.1 相关模拟分析软件 | 第47-48页 |
3.2 AlGaInP-LED的材料结构与建模 | 第48-51页 |
3.2.1 AlGaInP-LED的材料结构 | 第48-50页 |
3.2.2 AlGaInP-LED的建模 | 第50-51页 |
3.3 AlGaInP-LED的最佳驱动条件 | 第51-58页 |
3.3.1 AlGaInP-LED的I-V特性分析 | 第51-56页 |
3.3.2 驱动条件对AlGaInP-LED的内量子效率的影响 | 第56-58页 |
3.4 AlGaInP-LED微阵列器件的结构设计 | 第58-61页 |
3.5 AlGaInP-LED的电极结构设计 | 第61-70页 |
3.5.1 电极结构对AlGaInP-LED内部电流分布的影响 | 第61-62页 |
3.5.2 阳极电极的设计及优化 | 第62-69页 |
3.5.3 阴极电极的设计 | 第69-70页 |
3.6 AlGaInP-LED的热效应分析 | 第70-74页 |
3.6.1 发光单元内部热分布及热阻的计算 | 第70-72页 |
3.6.2 改善后的发光单元内部热分析 | 第72-74页 |
3.7 小结 | 第74-75页 |
第4章 AlGaInP-LED微阵列器件的单元实验及工艺集成研究 | 第75-96页 |
4.1 MOEMS工艺简介 | 第75-76页 |
4.2 AlGaInP-LED微阵列器件制作工艺流程的设计 | 第76-77页 |
4.3 MOEMS的几种基本工艺 | 第77-83页 |
4.3.1 光刻工艺 | 第77-79页 |
4.3.2 腐蚀与刻蚀工艺 | 第79-80页 |
4.3.3 薄膜的蒸发工艺 | 第80-83页 |
4.4 微阵列器件的单元实验研究 | 第83-93页 |
4.4.1 隔离沟槽的刻蚀实验 | 第83-87页 |
4.4.2 聚酰亚胺的沟槽填充实验 | 第87-90页 |
4.4.3 阳极电极的制作实验 | 第90-92页 |
4.4.4 衬底的减薄实验 | 第92-93页 |
4.5 微阵列器件的工艺集成 | 第93-95页 |
4.6 小结 | 第95-96页 |
第5章 柔性化AlGaIn P-LED微阵列器件的设计与实验研究 | 第96-103页 |
5.1 柔性LED微阵列器件的结构设计 | 第96-97页 |
5.2 柔性LED微阵列器件的制作工艺流程设计 | 第97-99页 |
5.3 AlGaInP-LED宽沟槽的腐蚀实验研究 | 第99-102页 |
5.4 腐蚀结果测试与分析 | 第102页 |
5.5 小结 | 第102-103页 |
第6章 AlGaInP-LED微阵列器件的驱动与测试研究 | 第103-111页 |
6.1 驱动电路的设计 | 第103-107页 |
6.2 平面AlGaInP-LED微阵列器件的测试 | 第107-110页 |
6.3 小结 | 第110-111页 |
第7章 总结与展望 | 第111-114页 |
7.1 总结 | 第111-112页 |
7.2 创新 | 第112-113页 |
7.3 展望 | 第113-114页 |
参考文献 | 第114-122页 |
在学期间学术成果情况 | 第122-125页 |
指导教师及作者简介 | 第125-126页 |
致谢 | 第126-127页 |