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AlGaInP-LED微阵列器件的设计与实验研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第11-31页
    1.1 引言第11-13页
    1.2 LED微阵列的研究背景第13-15页
    1.3 LED微阵列器件的国内外研究现状第15-29页
        1.3.1 平面型LED微阵列器件的研究及进展第15-23页
        1.3.2 柔性LED微阵列器件的研究与发展第23-29页
    1.4 论文的主要研究内容和论文结构安排第29-31页
        1.4.1 论文工作的主要研究内容第29-30页
        1.4.2 论文的结构安排第30-31页
第2章 AlGaInP-LED的基本理论第31-47页
    2.1 LED的基本工作过程第31-33页
    2.2 LED的复合过程与速率方程第33-36页
    2.3 LED的结特性第36-38页
    2.4 金属半导体的欧姆接触第38-40页
    2.5 LED的效率第40-43页
    2.6 LED的热效应第43-44页
    2.7 AlGaInP-LED第44-45页
    2.8 小结第45-47页
第3章 AlGaInP-LED微阵列器件的理论分析与结构设计第47-75页
    3.1 相关模拟分析软件第47-48页
    3.2 AlGaInP-LED的材料结构与建模第48-51页
        3.2.1 AlGaInP-LED的材料结构第48-50页
        3.2.2 AlGaInP-LED的建模第50-51页
    3.3 AlGaInP-LED的最佳驱动条件第51-58页
        3.3.1 AlGaInP-LED的I-V特性分析第51-56页
        3.3.2 驱动条件对AlGaInP-LED的内量子效率的影响第56-58页
    3.4 AlGaInP-LED微阵列器件的结构设计第58-61页
    3.5 AlGaInP-LED的电极结构设计第61-70页
        3.5.1 电极结构对AlGaInP-LED内部电流分布的影响第61-62页
        3.5.2 阳极电极的设计及优化第62-69页
        3.5.3 阴极电极的设计第69-70页
    3.6 AlGaInP-LED的热效应分析第70-74页
        3.6.1 发光单元内部热分布及热阻的计算第70-72页
        3.6.2 改善后的发光单元内部热分析第72-74页
    3.7 小结第74-75页
第4章 AlGaInP-LED微阵列器件的单元实验及工艺集成研究第75-96页
    4.1 MOEMS工艺简介第75-76页
    4.2 AlGaInP-LED微阵列器件制作工艺流程的设计第76-77页
    4.3 MOEMS的几种基本工艺第77-83页
        4.3.1 光刻工艺第77-79页
        4.3.2 腐蚀与刻蚀工艺第79-80页
        4.3.3 薄膜的蒸发工艺第80-83页
    4.4 微阵列器件的单元实验研究第83-93页
        4.4.1 隔离沟槽的刻蚀实验第83-87页
        4.4.2 聚酰亚胺的沟槽填充实验第87-90页
        4.4.3 阳极电极的制作实验第90-92页
        4.4.4 衬底的减薄实验第92-93页
    4.5 微阵列器件的工艺集成第93-95页
    4.6 小结第95-96页
第5章 柔性化AlGaIn P-LED微阵列器件的设计与实验研究第96-103页
    5.1 柔性LED微阵列器件的结构设计第96-97页
    5.2 柔性LED微阵列器件的制作工艺流程设计第97-99页
    5.3 AlGaInP-LED宽沟槽的腐蚀实验研究第99-102页
    5.4 腐蚀结果测试与分析第102页
    5.5 小结第102-103页
第6章 AlGaInP-LED微阵列器件的驱动与测试研究第103-111页
    6.1 驱动电路的设计第103-107页
    6.2 平面AlGaInP-LED微阵列器件的测试第107-110页
    6.3 小结第110-111页
第7章 总结与展望第111-114页
    7.1 总结第111-112页
    7.2 创新第112-113页
    7.3 展望第113-114页
参考文献第114-122页
在学期间学术成果情况第122-125页
指导教师及作者简介第125-126页
致谢第126-127页

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