| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 铁电存储器 | 第9-11页 |
| 1.1.1 破坏性读取铁电存储器 | 第10页 |
| 1.1.2 非破坏性读取铁电存储器 | 第10-11页 |
| 1.2 铁电场效应晶体管 | 第11-14页 |
| 1.2.1 铁电场效应晶体管的存储原理 | 第11-13页 |
| 1.2.2 铁电场效应晶体管的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 辐射环境与基本辐射效应 | 第14-16页 |
| 1.3.1 辐射环境 | 第14-15页 |
| 1.3.2 基本辐射效应 | 第15-16页 |
| 1.4 铁电存储器的电离辐射总剂量效应研究现状 | 第16-19页 |
| 1.4.1 铁电薄膜材料电离辐射效应研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4.2 铁电场效应晶体管的电离辐射效应研究现状 | 第17-19页 |
| 1.5 本文选题依据与主要研究内容 | 第19-21页 |
| 1.5.1 选题依据 | 第19页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 电离辐射总剂量效应对MFIS-FET电学性能的影响 | 第21-34页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 MFIS-FET在电离辐射总剂量效应下的物理模型 | 第21-28页 |
| 2.2.1 电离辐射总剂量效应下MFIS-FET的P-V关系 | 第21-24页 |
| 2.2.2 电离辐射总剂量效应下MFIS-FET的硅表面势 | 第24-26页 |
| 2.2.3 电离辐射总剂量效应下MFIS-FET的C-V关系 | 第26-27页 |
| 2.2.4 电离辐射总剂量效应下MFIS-FET的I-V关系 | 第27-28页 |
| 2.3 电离辐射总剂量效应对MFIS-FET电学性能的影响 | 第28-32页 |
| 2.3.1 电离辐射总剂量效应对MFIS-FET铁电层极化的影响 | 第28页 |
| 2.3.2 电离辐射总剂量效应对MFIS-FET硅表面势的影响 | 第28-29页 |
| 2.3.3 电离辐射总剂量效应对MFIS-FET C-V特性的影响 | 第29-31页 |
| 2.3.4 电离辐射总剂量效应对MFIS-FET I-V特性的影响 | 第31-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 第3章 电离辐射总剂量效应对MFIS-FET保持性能的影响 | 第34-44页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 电离辐射总剂量效应下的MFIS-FET保持性能物理模型 | 第34-36页 |
| 3.3 电离辐射总剂量效应对MFIS-FET的保持性能的影响 | 第36-40页 |
| 3.3.1 电离辐射总剂量效应对MFIS-FET P-t特性的影响 | 第36-38页 |
| 3.3.2 电离辐射总剂量效应对MFIS-FET Edep-t特性的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.3 电离辐射总剂量效应对MFIS-FET C-t特性的影响 | 第39页 |
| 3.3.4 电离辐射总剂量效应对MFIS-FET I-t特性的影响 | 第39-40页 |
| 3.4 不同温度与电极界面厚度下电离辐射总剂量效应对MFIS-FET保持性能的影响 | 第40-43页 |
| 3.4.1 不同温度下电离辐射总剂量效应对MFIS-FET保持性能的影响 | 第41-42页 |
| 3.4.2 不同铁电电极界面层厚度下电离辐射总剂量效应对MFIS-FET保持性能的影响 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 电离辐射总剂量效应对MFZ-FET电学性能与保持性能的影响 | 第44-53页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 MFZ-FET在电离辐射总剂量效应下的物理模型 | 第44-46页 |
| 4.3 电离辐射总剂量效应对MFZ-FET电学性能与保持性能的影响 | 第46-51页 |
| 4.3.1 电离辐射总剂量效应对MFZ-FET C-V特性的影响 | 第46-48页 |
| 4.3.2 电离辐射总剂量效应对MFZ-FET I-V特性的影响 | 第48-50页 |
| 4.3.3 电离辐射总剂量效应对MFZ-FET保持性能的影响 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第5章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 全文总结 | 第53页 |
| 5.2 工作展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 个人简历 | 第62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第62页 |
