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3d过渡金属δ掺杂及延展缺陷对单层MoS2磁性的调控

摘要第4-5页
abstract第5-6页
第1章 绪论第9-15页
    1.1 课题背景及研究的目的和意义第9-10页
    1.2 半金属在二维材料中的研究进展第10页
    1.3 二硫化钼(MoS_2)的结构第10-12页
    1.4 MoS_2的电子能带结构第12-13页
    1.5 单层MoS_2的研究现状第13-14页
    1.6 本论文的主要研究内容第14-15页
第2章 理论背景和方法第15-21页
    2.1 第一性原理方法第15页
    2.2 密度泛函理论第15-17页
        2.2.1 Hehenberg-Kohn(HK)定理第15-16页
        2.2.2 Kohn-Sham(KS)方程第16-17页
    2.3 交换关联泛函第17-19页
        2.3.1 局域密度近似(LDA)第18页
        2.3.2 广义梯度近似(GGA)第18-19页
        2.3.3 LDA(GGA)+U第19页
    2.4 AIM理论第19-20页
    2.5 计算软件包VASP简介第20-21页
第3章 Cr/Fe在单层MoS_2中 δ型掺杂的电子性质与磁性第21-32页
    3.1 引言第21-22页
    3.2 理论方法与模型第22-23页
    3.3 Cr/Fe在单层MoS_2中 δ型掺杂的结构、电子性质与磁性第23-30页
        3.3.1 单个Cr、Fe替代掺杂对单层MoS_2电子性质与磁性的影响第23-24页
        3.3.2 Cr/Fe δ型掺杂单层MoS_2的稳定性第24-25页
        3.3.3 Cr/Fe δ型掺杂对单层MoS_2电子性质与磁性的影响第25-27页
        3.3.4 CrFe-chain-MoS_2亚铁磁半金属性质的分析第27-30页
    3.4 本章小结第30-32页
第4章 单层MoS_2中的线缺陷对电子性质与磁性的影响第32-42页
    4.1 引言第32-33页
    4.2 理论方法与模型第33页
    4.3 LD-I的电子性质与磁性第33-35页
    4.4 LD-II的电子性质与磁性第35-36页
    4.5 3d过渡金属原子吸附在LD-I的电子性质和磁性第36-41页
    4.6 本章小结第41-42页
第5章 总结与展望第42-44页
    5.1 总结第42页
    5.2 展望第42-44页
参考文献第44-50页
致谢第50-51页
个人简历、在学期间发表的学术论文及研究成果第51页

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