摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第9-15页 |
1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第9-10页 |
1.2 半金属在二维材料中的研究进展 | 第10页 |
1.3 二硫化钼(MoS_2)的结构 | 第10-12页 |
1.4 MoS_2的电子能带结构 | 第12-13页 |
1.5 单层MoS_2的研究现状 | 第13-14页 |
1.6 本论文的主要研究内容 | 第14-15页 |
第2章 理论背景和方法 | 第15-21页 |
2.1 第一性原理方法 | 第15页 |
2.2 密度泛函理论 | 第15-17页 |
2.2.1 Hehenberg-Kohn(HK)定理 | 第15-16页 |
2.2.2 Kohn-Sham(KS)方程 | 第16-17页 |
2.3 交换关联泛函 | 第17-19页 |
2.3.1 局域密度近似(LDA) | 第18页 |
2.3.2 广义梯度近似(GGA) | 第18-19页 |
2.3.3 LDA(GGA)+U | 第19页 |
2.4 AIM理论 | 第19-20页 |
2.5 计算软件包VASP简介 | 第20-21页 |
第3章 Cr/Fe在单层MoS_2中 δ型掺杂的电子性质与磁性 | 第21-32页 |
3.1 引言 | 第21-22页 |
3.2 理论方法与模型 | 第22-23页 |
3.3 Cr/Fe在单层MoS_2中 δ型掺杂的结构、电子性质与磁性 | 第23-30页 |
3.3.1 单个Cr、Fe替代掺杂对单层MoS_2电子性质与磁性的影响 | 第23-24页 |
3.3.2 Cr/Fe δ型掺杂单层MoS_2的稳定性 | 第24-25页 |
3.3.3 Cr/Fe δ型掺杂对单层MoS_2电子性质与磁性的影响 | 第25-27页 |
3.3.4 CrFe-chain-MoS_2亚铁磁半金属性质的分析 | 第27-30页 |
3.4 本章小结 | 第30-32页 |
第4章 单层MoS_2中的线缺陷对电子性质与磁性的影响 | 第32-42页 |
4.1 引言 | 第32-33页 |
4.2 理论方法与模型 | 第33页 |
4.3 LD-I的电子性质与磁性 | 第33-35页 |
4.4 LD-II的电子性质与磁性 | 第35-36页 |
4.5 3d过渡金属原子吸附在LD-I的电子性质和磁性 | 第36-41页 |
4.6 本章小结 | 第41-42页 |
第5章 总结与展望 | 第42-44页 |
5.1 总结 | 第42页 |
5.2 展望 | 第42-44页 |
参考文献 | 第44-50页 |
致谢 | 第50-51页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文及研究成果 | 第51页 |