| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 铁电存储器的发展现状 | 第10-12页 |
| 1.2.1 铁电存储器的发展历程 | 第10-11页 |
| 1.2.2 铁电存储器的技术优势 | 第11页 |
| 1.2.3 铁电存储器的存储结构 | 第11-12页 |
| 1.3 铁电薄膜材料 | 第12-16页 |
| 1.3.1 铁电体的特征与分类 | 第12-15页 |
| 1.3.2 铁电薄膜材料应用存在的问题 | 第15-16页 |
| 1.4 铁电薄膜刻蚀的研究现状 | 第16-19页 |
| 1.4.1 湿法刻蚀 | 第17-18页 |
| 1.4.2 干法刻蚀 | 第18-19页 |
| 1.5 PZT薄膜的刻蚀损伤 | 第19页 |
| 1.6 本论文的选题依据和研究内容 | 第19-21页 |
| 1.6.1 本论文的选题依据 | 第19-20页 |
| 1.6.2 本论文的研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 PZT薄膜制备与测试表征方法 | 第21-31页 |
| 2.1 PZT铁电薄膜的制备 | 第21-25页 |
| 2.1.1 PZT薄膜的Sol-Gel法制备 | 第21-23页 |
| 2.1.2 PZT薄膜的性能优化 | 第23-25页 |
| 2.2 实验仪器及分析测试方法 | 第25-31页 |
| 2.2.1 离子束刻蚀机 | 第25-26页 |
| 2.2.2 光刻机 | 第26页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第26-27页 |
| 2.2.4 X射线衍射仪 | 第27-28页 |
| 2.2.5 原子力显微镜 | 第28-29页 |
| 2.2.6 铁电分析仪 | 第29-30页 |
| 2.2.7 半导体分析仪 | 第30页 |
| 2.2.8 台阶仪 | 第30-31页 |
| 第3章 PZT薄膜的光刻及刻蚀工艺 | 第31-46页 |
| 3.1 光刻工艺参数的优化 | 第31-39页 |
| 3.1.1 匀胶机转速与光刻胶膜厚的关系 | 第31-33页 |
| 3.1.2 曝光时间对光刻胶图形质量的影响 | 第33-35页 |
| 3.1.3 前烘参数对光刻胶图形质量的影响 | 第35-37页 |
| 3.1.4 显影时间对光刻胶图形质量的影响 | 第37-38页 |
| 3.1.5 后烘参数对光刻胶图形质量的影响 | 第38-39页 |
| 3.2 刻蚀工艺参数的优化 | 第39-44页 |
| 3.2.1 离子束入射角对刻蚀速率及表面粗糙度的影响 | 第40-42页 |
| 3.2.2 屏极电压对刻蚀速率及表面粗糙度的影响 | 第42-43页 |
| 3.2.3 氩气流量对刻蚀速率及表面粗糙度的影响 | 第43-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-46页 |
| 第4章 PZT铁电薄膜的刻蚀损伤及优化 | 第46-55页 |
| 4.1 刻蚀等比例PZT薄膜与性能损伤的研究 | 第46-48页 |
| 4.2 尺寸效应与刻蚀性能损伤的研究 | 第48-50页 |
| 4.3 退火工艺对刻蚀性能损伤的影响 | 第50-52页 |
| 4.4 两步刻蚀法对薄膜电学性能的影响 | 第52-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 第5章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 5.1 论文总结 | 第55-56页 |
| 5.2 研究展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第63页 |