| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-12页 |
| 参考文献 | 第11-12页 |
| 第2章 拓扑绝缘体简介 | 第12-18页 |
| 2.1 量子霍尔效应 | 第12-13页 |
| 2.2 拓扑绝缘体 | 第13-14页 |
| 2.3 边缘态理论和超导邻近效应 | 第14-17页 |
| 参考文献 | 第17-18页 |
| 第3章 理论基础和计算方法 | 第18-23页 |
| 3.1 BdG方程 | 第18-19页 |
| 3.2 Andreev反射 | 第19-21页 |
| 3.3 BTK理论 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-23页 |
| 第4章 基于狭窄二维拓扑绝缘体的铁磁绝缘体/s-波超导体/铁磁绝缘体异质结的自旋输运性质 | 第23-41页 |
| 4.1 研究背景 | 第23-24页 |
| 4.2 理论模型 | 第24-29页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第29-39页 |
| 4.3.1 α=π/2角度磁构型下各种散射几率的特点 | 第29-33页 |
| 4.3.2 α=π/2角度磁构型下微分电导特点 | 第33-34页 |
| 4.3.3 α=π/2角度磁构型下的噪声特点 | 第34-35页 |
| 4.3.4 其它几种角度磁构型下散射几率、微分电导和噪声特点 | 第35-39页 |
| 4.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第5章 基于狭窄二维拓扑绝缘体的铁磁绝缘体/铁磁绝缘体/s-波超导体异质结的自旋输运性质 | 第41-53页 |
| 5.1 研究背景 | 第41-42页 |
| 5.2 理论模型 | 第42-43页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第43-51页 |
| 5.3.1 α=π/2角度磁构型下各种散射几率的特点 | 第44-46页 |
| 5.3.2 α=π/2角度磁构型下微分电导的特点 | 第46-47页 |
| 5.3.3 α=π/2角度磁构型下噪声的特点 | 第47-48页 |
| 5.3.4 其它几种角度磁构型下散射几率、微分电导和噪声特点 | 第48-51页 |
| 5.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第6章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 在读期间发表的学术论文及研究成果 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
