砷化镓空间太阳电池用4英寸低位错锗单晶的研制
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 引言 | 第10-19页 |
| ·砷化镓空间太阳电池的研究进展 | 第10-13页 |
| ·低位错锗单晶研究现状 | 第13-17页 |
| ·提拉法 | 第14-15页 |
| ·垂直梯度凝固法 | 第15-17页 |
| ·数值模拟发展状况 | 第17-19页 |
| 2 直拉法生长低位错锗单晶的数值模拟研究 | 第19-44页 |
| ·锗单晶生长方法的确定 | 第19页 |
| ·模拟软件的选择 | 第19-20页 |
| ·直拉法生长锗单晶的数学分析模型的建立 | 第20-25页 |
| ·分析步骤 | 第25-27页 |
| ·主要材料的物性参数 | 第27-29页 |
| ·影响锗单晶中温度分布因素的数值模拟研究 | 第29-39页 |
| ·加热器结构及形状对晶体生长热场温度分布的影响 | 第29-34页 |
| ·保温层厚度及材质对晶体生长热场中温度分布的影响 | 第34-37页 |
| ·坩埚支撑杆热导率对晶体生长热场中温度分布的影响 | 第37-39页 |
| ·锗单晶中温度梯度分布的数值模拟研究 | 第39-41页 |
| ·锗单晶中应力的数值模拟研究 | 第41-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 3 低位错锗单晶的生长 | 第44-49页 |
| ·无位错锗单晶生长条件 | 第44-45页 |
| ·低位错锗单晶生长热场的设计 | 第45-46页 |
| ·锗单晶生长实验 | 第46-48页 |
| ·晶体生长设备 | 第46页 |
| ·晶体生长 | 第46-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 4 位错腐蚀研究 | 第49-55页 |
| ·锗单晶位错测量方法 | 第49-50页 |
| ·化学腐蚀法测量位错密度的方法 | 第50-52页 |
| ·测量原理 | 第50页 |
| ·样品制备 | 第50页 |
| ·位错密度的测量 | 第50-52页 |
| ·不同系统下位错腐蚀对比研究 | 第52-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 攻读学位期间取得的成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
