硅基微通道板结构与增益特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| ·微通道板电子倍增器概述 | 第10-15页 |
| ·微通道板电子倍增器的结构以及工作原理 | 第10-11页 |
| ·微通道板的主要特性参数 | 第11-13页 |
| ·微通道板的类型及发展 | 第13-15页 |
| ·二次电子发射作为电子倍增器的研究意义 | 第15-17页 |
| ·本文的研究内容和论文创新点 | 第17-19页 |
| ·主要研究内容 | 第17-18页 |
| ·论文创新点 | 第18-19页 |
| 第2章 微通道板的增益分析和二次电子发射原理 | 第19-30页 |
| ·二次电子发射理论 | 第19-26页 |
| ·定性说明二次电子发射过程 | 第19-21页 |
| ·二次电子发射系数公式计算 | 第21-24页 |
| ·微通道板通孔内的二次电子发射 | 第24-26页 |
| ·微通道板的电流增益分析 | 第26-30页 |
| ·简化的电流增益表达式 | 第26-28页 |
| ·电流增益的实验特性方程 | 第28-30页 |
| 第3章 微通道板电子增益特性的模拟分析 | 第30-44页 |
| ·通道内二次电子发射系数的数值分析 | 第30-33页 |
| ·二次发射系数计算模型的建立 | 第30-31页 |
| ·MATLAB模拟结果的分析 | 第31-33页 |
| ·微通道板电子增益模拟分析 | 第33-37页 |
| ·微通道板电子增益的数学模型 | 第33-34页 |
| ·微通道板电子增益计算结果 | 第34-37页 |
| ·双层薄膜二次电子发射系数的理论探究 | 第37-44页 |
| ·多层薄膜二次电子发射系数计算模型 | 第37-39页 |
| ·数值模拟结果 | 第39-42页 |
| ·小结 | 第42-44页 |
| 第4章 硅基微通道板制作和打拿极结构设计 | 第44-61页 |
| ·先进微通道板深孔阵列的制作 | 第44-50页 |
| ·基体材料的选择 | 第44页 |
| ·制作刻蚀掩膜层 | 第44-45页 |
| ·光刻工艺 | 第45页 |
| ·CCP完成对掩膜层刻蚀 | 第45-46页 |
| ·ICP刻蚀硅片 | 第46-48页 |
| ·光助电化学刻蚀硅片实验 | 第48-50页 |
| ·打拿极绝缘层的制备 | 第50-56页 |
| ·绝缘层制备方法的介绍 | 第50-51页 |
| ·氧化设备和制作工艺流程的介绍 | 第51-53页 |
| ·绝缘层氧化结果 | 第53-56页 |
| ·打拿极导电层的制备 | 第56-57页 |
| ·导电层材料的选择 | 第56页 |
| ·导电层的电阻率计算 | 第56-57页 |
| ·导电层的制备工艺介绍 | 第57页 |
| ·打拿极发射层的结构设计 | 第57-61页 |
| ·发射层材料的选择 | 第57-59页 |
| ·发射层材料的二次电子发射特性 | 第59-61页 |
| 第5章 激光打孔技术制备硅深孔阵列的初步实验探究 | 第61-67页 |
| ·激光打孔的工作原理 | 第61-62页 |
| ·LGW飞秒加工硅片实验 | 第62-67页 |
| ·实验过程 | 第62-66页 |
| ·实验结果分析 | 第66-67页 |
| 第6章 总结和展望 | 第67-70页 |
| ·总结 | 第67-68页 |
| ·展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第75-76页 |
