| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-14页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·GaAs光阴极的发展情况 | 第9-11页 |
| ·GaAs光阴极的产生及其特点 | 第9-10页 |
| ·GaAs光阴极的制备 | 第10-11页 |
| ·国内外究情况 | 第11-12页 |
| ·国内对GaAs光阴极的研究现状 | 第11页 |
| ·国外对GaAs光阴极的研究现状 | 第11-12页 |
| ·GaAs光阴极稳定性研究 | 第12页 |
| ·本文的研究意义 | 第12页 |
| ·本论文的研究内容 | 第12-14页 |
| 2. 理论基础 | 第14-19页 |
| ·GaAs晶体表面模型 | 第14-15页 |
| ·GaAs团簇模型 | 第14页 |
| ·Cs_(11)O_3团簇模型 | 第14-15页 |
| ·杂质气体的分子结构 | 第15页 |
| ·密度泛函理论 | 第15-18页 |
| ·基函数(basis set) | 第18-19页 |
| 3. 计算方法及内容 | 第19-22页 |
| ·计算软件 | 第19-20页 |
| ·可视化分子结构MacMolPlt软件 | 第19页 |
| ·量子化学计算软件 | 第19-20页 |
| ·采用的计算条件 | 第20页 |
| ·计算指令 | 第20-21页 |
| ·几何优化的目的 | 第21-22页 |
| 4. 结果与讨论 | 第22-33页 |
| ·杂质气体在铯氧激活层的作用 | 第22-23页 |
| ·CH_3OH在Ga_4As_5H_9团簇表面的吸附与解离 | 第23-27页 |
| ·H_2O在Ga_7AS_8H_(11)表面的吸附与解离 | 第27-33页 |
| 5 结论与展望 | 第33-35页 |
| ·结论 | 第33页 |
| ·展望 | 第33-35页 |
| 参考文献 | 第35-39页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第39-40页 |
| 致谢 | 第40-43页 |
| 附录 | 第43-46页 |
| TPSS D3BJ水平条件下Cs_(11)O_3团簇模型优化输入文件 | 第43页 |
| H2O分子在Cs_(11)O_3表面反应的计算输入文件 | 第43-44页 |
| PBE def2/TZVPP水平条件下Ga_4As_5H_9分子模型优化输入文件 | 第44-45页 |
| PBE def2/TZVPP水平条件下CH_3OH分子模型优化输入文件 | 第45页 |
| PBE-D3(BJ)def2/TZVPP水平条件下Ga_7As_8H_(11)分子模型优化输入文件 | 第45-46页 |
| PBE-D3(BJ)def2/TZVPP水平条件下H_2O模型输入文件 | 第46页 |
