| 致谢 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| ABSTRACT | 第9-12页 |
| 目录 | 第12-15页 |
| 第一章 . 引言 | 第15-41页 |
| ·红外探测材料的发展和碲镉汞材料 | 第15-20页 |
| ·红外探测材料的发展 | 第15-16页 |
| ·碲镉汞材料,Hg_(1-x)Cd_xTe | 第16-18页 |
| ·Hg_(1-x)Cd_xTe所面临的新需求 | 第18-20页 |
| ·非晶态半导体材料 | 第20-35页 |
| ·非晶态半导体材料的性质 | 第20-27页 |
| ·非晶态半导体材料的分类和应用 | 第27-35页 |
| ·本论文的研究内容 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-41页 |
| 第二章 . 理论计算方法——第一性原理计算方法 | 第41-65页 |
| ·第一性原理的理论基础 | 第41-51页 |
| ·三个假设 | 第42-44页 |
| ·密度泛函理论 | 第44-47页 |
| ·泛函近似 | 第47-51页 |
| ·计算的实现 | 第51-57页 |
| ·基函数 | 第51-53页 |
| ·势函数 | 第53-57页 |
| ·软件简介 | 第57-60页 |
| VASP | 第57-59页 |
| CASTEP | 第59页 |
| ABINIT | 第59页 |
| PWSCF | 第59-60页 |
| WIEN2K | 第60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 第三章 . 半导体HgTe的结构和电子性质 | 第65-109页 |
| ·引言 | 第65-67页 |
| ·键长变化对HgTe、CdTe性质的影响 | 第67-75页 |
| ·建模和计算方法 | 第67-68页 |
| ·结果与讨论 | 第68-75页 |
| ·不同结构HgTe的性质 | 第75-88页 |
| ·建模和计算方法 | 第75-77页 |
| ·结果与讨论 | 第77-88页 |
| ·单轴形变下HgTe的性质 | 第88-94页 |
| ·建模和计算方法 | 第88-89页 |
| ·结果与讨论 | 第89-94页 |
| ·非晶结构HgTe的性质 | 第94-102页 |
| ·建模和计算方法 | 第95-96页 |
| ·非晶HgTe的结构参数分析 | 第96-99页 |
| ·非晶HgTe的电子性质分析 | 第99-102页 |
| 本章小结 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-109页 |
| 第四章 . 非晶Hg_(1-x)Cd_xTe的结构和电子性质 | 第109-134页 |
| ·引言 | 第109-111页 |
| ·非晶Hg_(1-x)Cd_xTe的结构 | 第111-119页 |
| ·建模和计算方法 | 第111-112页 |
| ·非晶Hg_(1-x)Cd_xTe的结构性质 | 第112-119页 |
| ·非晶Hg_(1-x)Cd_xTe的电子性质 | 第119-129页 |
| ·等组分非晶Hg_(0.5)Cd_(0.5)Te的电子性质 | 第120-124页 |
| ·不同组分非晶Hg_(1-x)Cd_xTe的电子性质 | 第124-129页 |
| 本章小结 | 第129-130页 |
| 参考文献 | 第130-134页 |
| 第五章. 总结和展望 | 第134-139页 |
| ·总结 | 第134-137页 |
| ·展望 | 第137-139页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第139-141页 |
| 作者简历 | 第139页 |
| 已发表(或正式接受)的学术论文 | 第139-141页 |
| 期刊论文 | 第139-140页 |
| 会议论文 | 第140-141页 |
