| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·引言 | 第10-13页 |
| ·半导体太阳电池的分类 | 第11页 |
| ·太阳电池的原理 | 第11-13页 |
| ·铜铟硒／硫化镉太阳电池的发展现状和优势 | 第13-15页 |
| ·铜铟硒材料和CdS材料制备方法 | 第15-16页 |
| ·铜铟硒薄膜材料的制备方法 | 第15-16页 |
| ·CdS材料制备方法 | 第16页 |
| ·本论文的目的、意义和研究工作 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第二章 电子束蒸发制备CuInSe_2光学减反薄膜 | 第20-41页 |
| ·引言 | 第20-22页 |
| ·电子束蒸发制备CuInSe_2薄膜 | 第22-30页 |
| ·电子束蒸发原理 | 第22-23页 |
| ·铜铟硒薄膜的沉积和真空硒化热处理工艺 | 第23-24页 |
| ·铜铟硒薄膜的性质表征和讨论 | 第24-30页 |
| ·光减反铜铟硒薄膜制备 | 第30-37页 |
| ·光学减反原理及途径 | 第30-31页 |
| ·光减反薄膜制备过程 | 第31-32页 |
| ·光减反薄膜性质表征和讨论 | 第32-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 参考文献 | 第39-41页 |
| 第三章 电化学方法制备CuInSe_2薄膜 | 第41-52页 |
| ·引言 | 第41-43页 |
| ·电化学沉积CuInSe_2薄膜 | 第43-44页 |
| ·电化学沉积CuInSe_2薄膜与表征 | 第44-49页 |
| ·确定最佳沉积电位 | 第44-46页 |
| ·CIS薄膜的最佳电位沉积薄膜表征 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第四章 水浴法制备CdS薄膜与表征 | 第52-66页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·CdS薄膜的水浴法制备及其表征 | 第53-60页 |
| ·不同PH值条件制备CdS薄膜 | 第53-54页 |
| ·不同PH值条件制备CdS薄膜性质表征和最佳PH值条件分析 | 第54-58页 |
| ·基于PS小球制备二维有序CdS纳米环阵列薄膜 | 第58-60页 |
| ·水浴法制备CdS/Si异质结及其表征 | 第60-64页 |
| ·水浴法制备CdS/Si异质结 | 第60-61页 |
| ·水浴法制备CdS/Si性质表征 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| ·主要结论 | 第66-67页 |
| ·展望 | 第67-68页 |
| 硕士期间发表论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |