基于纳米硅薄膜晶体管高灵敏度磁传感器制作及特性研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-34页 |
| ·磁传感器研究现状 | 第10-25页 |
| ·磁敏三极管研究现状 | 第10-13页 |
| ·磁通门磁传感器研究现状 | 第13-15页 |
| ·分裂漏磁传感器研究现状 | 第15-17页 |
| ·霍尔磁传感器研究现状 | 第17-25页 |
| ·纳米硅薄膜晶体管研究现状 | 第25-31页 |
| ·高载流子迁移率纳米硅薄膜研究现状 | 第25-26页 |
| ·纳米硅薄膜晶体管研究现状 | 第26-31页 |
| ·本课题研究目的和研究意义 | 第31-32页 |
| ·研究目的 | 第31-32页 |
| ·研究意义 | 第32页 |
| ·论文主要研究内容 | 第32-34页 |
| 第2章 高灵敏度磁传感器基本结构与工作原理 | 第34-42页 |
| ·高灵敏度磁传感器基本结构 | 第34-35页 |
| ·高灵敏度磁传感器工作原理 | 第35-41页 |
| ·霍尔效应 | 第35-36页 |
| ·纳米硅薄膜晶体管工作原理 | 第36-40页 |
| ·磁敏结构工作原理 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第3章 纳米硅薄膜制备及特性研究 | 第42-47页 |
| ·纳米硅薄膜制备 | 第42-43页 |
| ·纳米硅薄膜特性研究 | 第43-46页 |
| ·XRD 分析 | 第43-44页 |
| ·SEM 分析 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 高灵敏度磁传感器磁敏特性仿真 | 第47-56页 |
| ·ATLAS 器件仿真系统 | 第47-48页 |
| ·高灵敏度磁传感器仿真模型构建与磁敏特性模拟 | 第48-55页 |
| ·仿真模型构建 | 第48-49页 |
| ·磁敏特性仿真 | 第49-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第5章 高灵敏度磁传感器结构设计与制作工艺 | 第56-63页 |
| ·高灵敏度磁传感器结构设计 | 第56-58页 |
| ·高灵敏度磁传感器芯片制作工艺 | 第58-59页 |
| ·高灵敏度磁传感器芯片版图设计 | 第59-61页 |
| ·高灵敏度磁传感器芯片封装 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第6章 实验结果与讨论 | 第63-114页 |
| ·纳米硅薄膜晶体管特性 | 第63-64页 |
| ·实验测试装置 | 第64-65页 |
| ·MOSFET Hall 磁传感器特性 | 第65-69页 |
| ·MOSFET 沟道 L/W 对磁敏特性影响 | 第66-67页 |
| ·MOSFET 沟道 W/L 对磁敏特性影响 | 第67-69页 |
| ·基于纳米硅薄膜晶体管磁传感器磁特性 | 第69-91页 |
| ·沟道尺寸和沟道层厚度对磁敏特性影响 | 第69-81页 |
| ·衬底对磁敏特性的影响 | 第81-84页 |
| ·杂质掺杂对磁敏特性的影响 | 第84-91页 |
| ·高灵敏度磁传感器的特性 | 第91-95页 |
| ·纳米硅薄膜厚度为 90 nm | 第91-93页 |
| ·纳米硅薄膜厚度为 120 nm | 第93-95页 |
| ·高灵敏度磁传感器静态特性 | 第95-112页 |
| ·线性度 | 第95-108页 |
| ·重复性 | 第108-110页 |
| ·迟滞性 | 第110-111页 |
| ·准确度 | 第111-112页 |
| ·本章小结 | 第112-114页 |
| 结论 | 第114-116页 |
| 参考文献 | 第116-125页 |
| 致谢 | 第125-126页 |
| 攻读学位期间发表论文 | 第126-127页 |
| 攻读学位期间科研项目 | 第127页 |
