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抗光折变局域掺杂Ti:Mg:Er:LiNbO3波导放大器的理论和实验研究

中文摘要第1-5页
ABSTRACT第5-10页
第一章 绪论第10-16页
   ·导波光学的研究新进展第10-12页
     ·光波导在集成光学中的应用第10页
     ·光波导的分类第10-12页
   ·光波导放大器的发展与分类第12-13页
     ·光波导放大器的发展第12页
     ·光波导放大器的分类第12-13页
     ·铌酸锂波导放大器第13页
   ·本论文的主要工作与意义第13-16页
第二章 光波导理论第16-39页
   ·光波基本方程第16-21页
     ·麦克斯韦方程第16-17页
     ·物质方程第17页
     ·波动方程第17-19页
     ·电磁场边界条件第19-20页
     ·坡印亭矢量第20-21页
   ·平板波导的电磁理论第21-28页
     ·平板波导的波动方程第21-23页
     ·TE 导模第23-26页
     ·TM 导模第26-27页
     ·波导的归一化参数第27-28页
   ·矩形介质波导第28-38页
     ·马卡提里近似解析法[38]第29-36页
     ·有效折射率法[39]第36-38页
   ·本章总结第38-39页
第三章 Ti:Mg:Er:LiN603光波导第39-54页
   ·金属在铌酸锂晶体上扩散理论第39-44页
     ·菲克第一定律第39-40页
     ·菲克第二定律第40-41页
     ·固体扩散机制第41-42页
     ·Mg 在铌酸锂晶体中的扩散第42-43页
     ·Er 在铌酸锂晶体中的扩散第43-44页
   ·钛扩散光波导第44-48页
     ·金属热扩散铌酸锂波导简介第44-45页
     ·平面式波导扩散理论第45-47页
     ·条型波导扩散理论第47-48页
   ·钛扩散波导折射率模型第48-50页
   ·折射率的测量第50-51页
   ·单模波导模拟及设计第51-53页
   ·本章总结第53-54页
第四章 VTE方法制备不同组分MgO:LiN603晶体第54-73页
   ·VTE 理论模型第55-60页
     ·富锂VTE第55-58页
     ·富锂VTE 技术实施方法第58-59页
     ·缺锂VTE第59-60页
   ·铌酸锂晶体组分的表征方法第60-63页
     ·测量UV 吸收边第60-62页
     ·测量双折射[88][89]第62-63页
   ·VTE 制备不同组分MgO:LiNb0_3晶片第63-72页
     ·缺锂Mg:LiNb0_3晶片的制备及组分的表征第63-65页
     ·晶体组分与吸收边(OAE)的定量关系第65-67页
     ·晶相第67-68页
     ·缺锂VTE 对OH-谱和光损伤阈值的影响第68-71页
     ·抗光折变特性的恢复第71-72页
   ·本章总结第72-73页
第五章 NS Ti:Mg:Er:LiNb0_3波导放大器的制作与表征第73-96页
   ·NS Ti:Mg:Er:LiNb0_3条型波导的制作第74-77页
     ·局域Er 掺杂第74-75页
     ·Ti/Mg 预扩散第75-76页
     ·富锂VTE 后处理第76-77页
   ·波导性能表征第77-83页
     ·波导的损耗第77-81页
     ·波导抗光折变特性和放大特性第81-83页
   ·组分、Er/Mg 掺杂浓度以及晶相的表征第83-95页
     ·NS Ti:Mg:Er:LiNb0_3波导区域的组分第83-84页
     ·波导区域离子分布第84-93页
     ·波导区域的晶相第93页
     ·折射率分布模型第93-95页
   ·本章总结第95-96页
第六章 NS Ti:Mg:Er:LiNb0_3波导放大特性数值分析第96-119页
   ·理论模型及数值分析方法第96-101页
     ·LiNb0_3晶体中Er~(3+)能级结构图第97-99页
     ·速率方程第99-100页
     ·传输方程第100-101页
     ·数值分析方法第101页
   ·关键参数的确定第101-107页
     ·吸收截面和发射截面第101-105页
     ·Er 粒子浓度分布第105-106页
     ·模场强度分布第106-107页
   ·泵浦功率的演化及信号光增益曲线第107-118页
     ·980 nm光泵浦模型计算第108-113页
     ·1480 nm光泵浦模型计算第113-118页
   ·本章总结第118-119页
第七章 总结及展望第119-120页
参考文献第120-129页
发表论文和科研情况说明第129-131页
致谢第131页

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