标准CMOS工艺硅基LED器件设计及实验分析
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| ·硅基发光器件的研究进展 | 第9-17页 |
| ·非标准CMOS工艺硅基LED | 第9-13页 |
| ·硅基激光器 | 第13-14页 |
| ·标准CMOS工艺硅基LED | 第14-17页 |
| ·硅探测器与硅光波导的研究 | 第17-18页 |
| ·硅基光互连的研究 | 第18-19页 |
| ·本论文的结构安排 | 第19-21页 |
| 第二章 硅基LED的发光原理 | 第21-40页 |
| ·半导体电致发光原理 | 第22-28页 |
| ·发光过程中的复合 | 第23-25页 |
| ·描述发光的相关参数 | 第25-28页 |
| ·电致发光 | 第28页 |
| ·硅LED器件反向偏置发光 | 第28-37页 |
| ·硅PN结反向偏置发光 | 第30-33页 |
| ·硅MOSFET发光 | 第33-35页 |
| ·硅反熔丝发光 | 第35-37页 |
| ·硅LED器件正向偏置发光 | 第37-39页 |
| ·硅PN结发光 | 第37-38页 |
| ·MIS结构隧穿发光 | 第38-39页 |
| ·总结 | 第39-40页 |
| 第三章 反偏硅发光器件设计及模拟 | 第40-57页 |
| ·标准CMOS工艺硅基发光 | 第40-42页 |
| ·标准CMOS工艺硅LED发光特点 | 第40-41页 |
| ·发光基本原理 | 第41页 |
| ·反偏硅LED器件设计方法 | 第41-42页 |
| ·材料参数计算 | 第42-44页 |
| ·基本计算公式 | 第42-43页 |
| ·材料掺杂浓度计算 | 第43-44页 |
| ·器件模拟软件 | 第44-45页 |
| ·标准CMOS工艺硅发光器件设计 | 第45-56页 |
| ·楔形器件设计 | 第45-47页 |
| ·叶型器件设计 | 第47-48页 |
| ·均匀电场叉指器件设计 | 第48-49页 |
| ·电场增强正八边形器件设计 | 第49-51页 |
| ·U型发光器件设计 | 第51-52页 |
| ·电流注入器件设计 | 第52-55页 |
| ·阵列型器件设计 | 第55-56页 |
| ·器件设计总结 | 第56-57页 |
| 第四章 反偏硅发光器件的测量及分析 | 第57-88页 |
| ·测试设备介绍 | 第57-61页 |
| ·测量方法 | 第61-62页 |
| ·测试结果及分析 | 第62-86页 |
| ·楔形器件 | 第62-66页 |
| ·叶型器件 | 第66-68页 |
| ·叉指器件 | 第68-72页 |
| ·正八边形器件 | 第72-75页 |
| ·U型器件 | 第75-81页 |
| ·电流注入器件 | 第81-84页 |
| ·阵列器件 | 第84-86页 |
| ·器件测试总结 | 第86-88页 |
| 第五章 正偏发光硅LED器件 | 第88-105页 |
| ·U型正偏硅LED器件 | 第88-94页 |
| ·器件设计 | 第88-89页 |
| ·器件栅极电压作用仿真 | 第89-91页 |
| ·测量结果及分析 | 第91-94页 |
| ·回型正偏发光器件 | 第94-103页 |
| ·器件设计 | 第94-95页 |
| ·测量结果及分析 | 第95-103页 |
| ·正偏发光器件设计总结 | 第103-105页 |
| 第六章 总结及展望 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-115页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第115-117页 |
| 致谢 | 第117页 |
