| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-36页 |
| ·课题背景及研究的目的和意义 | 第12-16页 |
| ·铜基多元半导体电子结构和光学性质的研究进展 | 第16-28页 |
| ·铜基多元半导体电子结构性质的研究进展 | 第16-24页 |
| ·铜基多元半导体光学性质的研究进展 | 第24-26页 |
| ·基于体块材料的中间能带光伏电池材料的研究进展 | 第26-28页 |
| ·电子结构性质和光学性质的理论研究方法 | 第28-35页 |
| ·固体电子结构计算的基本理论方法 | 第28-32页 |
| ·激发态性质的格林函数计算方法 | 第32-35页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第35-36页 |
| 第2章 铜基多元半导体中 Cu d 电子的性质 | 第36-54页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·局域密度近似下半芯态 d 电子的能级位置及 pd 电子杂化 | 第37-38页 |
| ·Cu d 对晶体结构和电子结构性质的影响 | 第38-51页 |
| ·Cu d 电子成键与局域性的双重性质 | 第38-43页 |
| ·Cu d 电子对阴离子位置偏移的影响 | 第43-46页 |
| ·铜基多元半导体电子结构性质的精确理论计算 | 第46-51页 |
| ·铜基三元半导体的准粒子能带结构 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第3章 铜基四元半导体的晶体结构和能带结构性质 | 第54-66页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·铜基四元半导体的晶体结构性质 | 第54-57页 |
| ·铜基四元半导体的能带结构性质 | 第57-63页 |
| ·准粒子能带结构和禁带宽度 | 第57-62页 |
| ·阳离子无序对电子结构性质的影响 | 第62-63页 |
| ·类金刚石结构半导体电子结构的简单图像 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第4章 铜基多元半导体的光学性质 | 第66-81页 |
| ·引言 | 第66-67页 |
| ·铜基材料的激子效应及其抑制 | 第67-76页 |
| ·激子效应对光吸收性质的一般影响 | 第68-69页 |
| ·理论计算参数的确定 | 第69-72页 |
| ·CuGaS_2和 CuInS_2材料的激子效应及其抑制 | 第72-76页 |
| ·铜基多元半导体的光吸收性质及关键影响因素 | 第76-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 第5章 基于铜基半导体的中间能带光伏电池材料的理论设计 | 第81-93页 |
| ·引言 | 第81-82页 |
| ·中间能带光伏电池的基本原理和材料设计的要求 | 第82-84页 |
| ·中间能带光伏电池材料的理论设计 | 第84-92页 |
| ·CuGaS_2中 Sn 掺杂的中间能带光伏电池材料 | 第84-87页 |
| ·过渡金属 Fe 掺杂的中间能带光伏电池材料 | 第87-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 结论 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-106页 |
| 附录：符号和术语缩写索引 | 第106-111页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
| 个人简历 | 第114页 |
