| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| ·有机电子学 | 第7-9页 |
| ·有机半导体的发展优势 | 第7页 |
| ·与传统无机材料的差异 | 第7-9页 |
| ·OTFT 绝缘层材料概述 | 第9-12页 |
| ·氧化物绝缘层 | 第9页 |
| ·聚合物绝缘层 | 第9-12页 |
| ·自组装单层和多层绝缘膜 | 第12页 |
| ·有机薄膜晶体管概述 | 第12-16页 |
| ·OTFT 结构和工作原理 | 第12-15页 |
| ·OTFT 器件应用及展望 | 第15-16页 |
| ·本论文的工作 | 第16-18页 |
| 第二章 交联 PVP 绝缘膜器件的制备 | 第18-25页 |
| ·器件制备所使用的材料 | 第18-19页 |
| ·器件制备所使用的仪器设备 | 第19-20页 |
| ·以交联 PVP 为介电层的 MIS 器件的制备 | 第20-21页 |
| ·以交联 PVP 为绝缘膜的 OTFT 器件的制备工艺 | 第21-24页 |
| ·有机薄膜晶体管制备常见工艺简介 | 第21-23页 |
| ·以交联 PVP 为绝缘膜的 OTFT 器件的制备方法 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 交联 PVP 绝缘膜的电学特性研究 | 第25-41页 |
| ·交联剂对 PVP 绝缘膜电学特性的影响 | 第25-34页 |
| ·交联剂质量百分数对界面陷阱的影响 | 第25-26页 |
| ·交联剂质量百分数对 V-t 特性的影响 | 第26-28页 |
| ·交联 PVP 绝缘膜漏电的漏电机制 | 第28-33页 |
| ·结论 | 第33-34页 |
| ·退火温度对 PVP 绝缘膜电学特性的影响 | 第34-37页 |
| ·退火温度对 J-V 曲线和 V-t 曲线的影响 | 第34-35页 |
| ·退火温度对交联 PVP 绝缘膜中固定电荷位置的影响 | 第35-37页 |
| ·结论 | 第37页 |
| ·交联 PVP 绝缘膜的 J-V 特性分析 | 第37-40页 |
| ·多次扫描 J-V 特性 | 第37-39页 |
| ·不同注入情况下的 J-V 特性分析 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 OTFT 器件性能研究 | 第41-47页 |
| ·OTFT 静态特性 | 第41-43页 |
| ·OTFT 器件参数的获取与分析 | 第43-45页 |
| ·阈值电压 VT | 第43-44页 |
| ·OTFT 场效应迁移率 | 第44-45页 |
| ·开关比 Ion/Ioff | 第45页 |
| ·结论 | 第45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 结论与展望 | 第47-49页 |
| ·结论 | 第47页 |
| ·展望 | 第47-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第56页 |
