| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·硅的基本性质 | 第12-15页 |
| ·硅纳米线及硅纳米线阵列的研究现状 | 第15-29页 |
| ·硅纳米线及硅纳米线阵列的制备方法 | 第16-21页 |
| ·自下而上的制备方法 | 第17-19页 |
| ·自上而下的制备方法 | 第19-21页 |
| ·硅纳米线的性能 | 第21-23页 |
| ·场发射性能 | 第21-22页 |
| ·光学性能 | 第22-23页 |
| ·电子传输特性 | 第23页 |
| ·热传导性能 | 第23页 |
| ·硅纳米线的应用研究 | 第23-29页 |
| ·高性能新型器件 | 第23-24页 |
| ·硅纳米线在显示器件方面应用研究 | 第24-25页 |
| ·纳米传感器 | 第25页 |
| ·太阳能电池 | 第25-29页 |
| 第二章 本课题的研究意义、目标及内容 | 第29-33页 |
| ·选题的目的与意义 | 第29-30页 |
| ·课题的研究目标与主要研究内容 | 第30-33页 |
| ·课题的研究目标 | 第30-31页 |
| ·课题的主要研究内容 | 第31-33页 |
| 第三章 银镜反应与 MCEE 相结合制备硅纳米尖端阵列结构 | 第33-55页 |
| ·引言 | 第33-35页 |
| ·实验部分 | 第35-42页 |
| ·试剂与仪器 | 第35-36页 |
| ·材料的表征测试方法 | 第36页 |
| ·硅片的清洗 | 第36-37页 |
| ·银镜反应与金属催化化学刻蚀（MCEE）的原理 | 第37-41页 |
| ·银镜反应的原理 | 第37-38页 |
| ·金属催化化学刻蚀（MCEE）的原理 | 第38-41页 |
| ·制备过程 | 第41-42页 |
| ·硅纳米尖端阵列的形貌表征 | 第42页 |
| ·结果讨论部分 | 第42-54页 |
| ·各种实验参数对硅纳米尖端阵列形貌的影响研究 | 第43-53页 |
| ·硅纳米尖端阵列的形成机理 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 大面积硅纳米尖端阵列的性能研究 | 第55-64页 |
| ·光学性能的研究 | 第55-57页 |
| ·场发射性能的研究 | 第57-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第73-74页 |