| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| ·ZnO 薄膜晶体管(TFT) | 第9-13页 |
| ·场效应晶体管简介 | 第9-11页 |
| ·TFT 的结构和工作机理 | 第11-13页 |
| ·不同应用背景对 TFT 的要求 | 第13页 |
| ·铁电 ZnO TFT | 第13-19页 |
| ·铁电材料的概述及性质 | 第13-14页 |
| ·铁电材料在存储器上的应用 | 第14-16页 |
| ·铁电 ZnO TFT 的发展现状 | 第16-17页 |
| ·铁电 ZnO TFT 的材料选择和特性 | 第17-19页 |
| ·本论文的选题依据和主要内容 | 第19-22页 |
| ·选题依据 | 第19-21页 |
| ·主要内容 | 第21-22页 |
| 第2章 TFT 的制备工艺与表征方法 | 第22-32页 |
| ·ZnO TFT 的制备工艺 | 第22-26页 |
| ·脉冲激光沉积方法的基本原理 | 第22-23页 |
| ·PLD-5000 系统介绍 | 第23-24页 |
| ·ZnO TFT 的制备过程 | 第24-26页 |
| ·铁电 ZnO TFT 的制备工艺 | 第26-27页 |
| ·BNT 薄膜的制备过程 | 第26页 |
| ·ZnO/BNT TFT 的制备过程 | 第26-27页 |
| ·TFT 的表征 | 第27-31页 |
| ·微观结构表征 | 第27-28页 |
| ·BNT 的电学性能表征 | 第28-29页 |
| ·TFT 的电学性能表征 | 第29-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第3章 铁电 ZnO TFT 的电学性能表征 | 第32-40页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·ZnO 薄膜的微观结构 | 第32-33页 |
| ·BNT 和 ZnO/BNT 薄膜的电学性能 | 第33-35页 |
| ·ZnO/BNT TFT 的电学性能 | 第35-38页 |
| ·ZnO/BNT TFT 和 ZnO TFT 的输出特性 | 第35-36页 |
| ·ZnO/BNT TFT 的转移特性 | 第36-38页 |
| ·ZnO/BNT TFT 的保持特性 | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第4章 PZT/ZnO TFT 的电学性能模拟 | 第40-50页 |
| ·引言 | 第40-41页 |
| ·PZT/ZnO TFT 的基本模型 | 第41-43页 |
| ·PZT/ZnO TFT 的电容电压特性 | 第43-46页 |
| ·ZnO 的自发极化强度对存储窗口的影响 | 第44-45页 |
| ·铁电介电常数和饱和极化对存储窗口的影响 | 第45-46页 |
| ·PZT/ZnO TFT 的输出特性 | 第46-47页 |
| ·PZT/ZnO TFT 的保持特性 | 第47-48页 |
| ·小结 | 第48-50页 |
| 第5章 总结与展望 | 第50-53页 |
| ·论文总结 | 第50-51页 |
| ·研究展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读硕士期间的论文发表情况 | 第60页 |