| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-31页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·相变存储器概述 | 第12-17页 |
| ·相变材料的特点及应用 | 第17-24页 |
| ·超晶格相变材料 | 第24-29页 |
| ·本文的研究内容及结构安排 | 第29-31页 |
| 2 超晶格相变材料的制备及相变特性 | 第31-52页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·超晶格相变材料组元的制备工艺 | 第31-37页 |
| ·GeTe/Sb_2Te_3超晶格相变材料的结构特点 | 第37-40页 |
| ·非晶 GeTe/Sb_2Te_3相变超晶格材料的制备 | 第40-41页 |
| ·GeTe/Sb_2Te_3超晶格的相变温度 | 第41-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 3 超晶格相变材料的热传导特性 | 第52-83页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·超晶格相变材料热导率的测试 | 第53-60页 |
| ·超晶格相变材料的声子谱及晶格振动模式 | 第60-67页 |
| ·超晶格相变材料热导率的模拟计算 | 第67-72页 |
| ·基于超晶格相变材料的 PCRAM 单元热分布模拟 | 第72-76页 |
| ·基于超晶格相变材料的 PCRAM 单元的制备及测试 | 第76-80页 |
| ·本章小结 | 第80-83页 |
| 4 超晶格相变材料的电输运特性 | 第83-104页 |
| ·引言 | 第83页 |
| ·GeTe/Sb_2Te_3超晶格材料的电阻率 | 第83-87页 |
| ·GeTe/Sb_2Te_3超晶格相变材料的电阻温度特性 | 第87-92页 |
| ·超晶格相变材料的晶粒生长对电阻特性的影响 | 第92-99页 |
| ·超晶格相变材料的界面缺陷对电阻特性的影响 | 第99-101页 |
| ·本章小结 | 第101-104页 |
| 5 超晶格相变材料的功函数及相变异质结 | 第104-127页 |
| ·引言 | 第104页 |
| ·超晶格相变材料的表面态 | 第104-111页 |
| ·超晶格相变材料的功函数 | 第111-118页 |
| ·超晶格相变异质结 | 第118-125页 |
| ·本章小结 | 第125-127页 |
| 6 全文总结 | 第127-132页 |
| ·研究内容总结 | 第127-131页 |
| ·对进一步研究的展望 | 第131-132页 |
| 致谢 | 第132-133页 |
| 参考文献 | 第133-149页 |
| 附录 1 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第149-150页 |
| 附录 2 攻读博士学位期间申请的发明专利 | 第150页 |
